隨著 DDR5 24GB*2 容量的日益普及，消費者越來越接受這種高價效比的規格。 面對 16GB*2 不夠用，32GB*2 有點貴，在選擇實際安裝時還是存在的。 而如何在量大的情況下讓價效比走得更遠，當然是選擇磨砂記憶體產品，畢竟乙個RGB燈條的10%屬性加成至少相當於**加成的10%。 不過，比起色彩繽紛的RGB燈條記憶體，我個人更喜歡設計簡約、質感好的磨砂機型，比如我手中的光威龍武48GB（24GBX2）DDR5 6800記憶體。
作為光微最新推出的磨砂記憶體系列，48GB（24GB*2）套件搭載海力士獨創的M-Die顆粒（3GB），超低CL34時序，支援IntelX***0和AMD Expo一鍵超頻功能，輕鬆一鍵達到6800MHz。 採用增強型電源，提供穩定的電源和未鎖頻的PMIC電壓設計，可在超頻後提供更強大的效能。
光威神策、神武、龍武均採用統一的包裝設計語言，以灰色為主色調輔以機甲質感畫，搭配黃線質感點綴，科技感十足。 背面的小視窗設計，直觀地看到記憶體的基本引數資訊。
開啟包裝後，與Sthus和Shenwu系列不同，除了帶有塑料盒的機身外，沒有其他配件，例如手套和設計藝術品。 畢竟，作為中檔產品，節約包裝成本，提高產品質量還是需要的。
光威龍武DDR5 6800MHz記憶體專為磨砂背心設計，採用深空灰色全鋁合金散熱背心，表面採用噴砂啞光處理工藝，觸感細膩。 散熱背心頂部為未指明斜切流線型造型，正反面交錯安裝，中間有黑色塑膠飾條，搭配灰色GLOWAY標誌絲印，右側以DDR5字樣表示，菱形線條在下部位置堆疊紋理裝飾， 整體外觀優雅簡約。記憶體背面的散熱背心多了產品銘牌標籤和防偽碼標籤貼紙。
龍武DDR5 6800MHz記憶體採用加厚PCB版，先進的堆疊設計，逐層疊加電路佈線，延長內部電路距離，通過優化訊號傳輸路徑和減弱電磁干擾，10um加厚金手指鍍層也有效延長了記憶體的使用壽命。
龍武DDR5 6800MHz記憶體採用全黑PCB，從底部縫隙可以看出內部部署了單面顆粒，以及8個海力士原裝M-Die（3G）顆粒，形成了24GB的容量規格。
PCB和散熱背心輔以顯示卡級矽脂散熱墊，充分覆蓋顆粒和PMIC電源管理控制晶元，進一步提高散熱效率，保證高效能穩定輸出。
Jedec記憶體規格下的頻率為5600MHz，時序為46-46-46-90，電壓為11v。Intel XMP 和 AMD Expo 支援一鍵超頻，各有 2 組預設。
測試平台使用Intel i7-14700K、MSI MPG B760M EDGE TI WIFI和廣威龍武48GB（24GBX2）DDR5 6800 RAM。
微星 MPG B760M Edge Ti WiFi 基於最新的 Intel B760 晶元組，主機板的 VRM（CPU 供電區），採用 12+1+1 供電設計，配備鈦電感和電流為 75A 的 DRMOS，外部供電部分為 8+8pin 供電介面。
它支援 4 個 DDR5 記憶體插槽，雙通道，最高 192GB 容量，記憶體頻率最高可達 7800+MHz。 它支援Intel X***0，配備記憶體加速引擎，提供效能、基準測試、MenTest模式三組優化預設，並提供記憶體試用！ 功能，輕鬆實現一鍵超頻。
5600 mt s（啟動頻率）：定時 46-46-46-90，電壓 110V、AIDA64 記憶體測試讀、寫、複製和延遲效能資料分別為 86543MB s、77349MB s、77768MB s 和 841ns。
6800 MT S （XMP）：進入BIOS，點選XMP配置檔案按鈕，即可開啟XMP一鍵超頻，頻率將提公升至6800 MTS。 定時 34-46-46-108 CR2，電壓 135V、AIIDA64記憶體測試讀、寫、複製和延遲效能資料分別為100%85GB S、89066MB S、73249MB S 和 703ns。
7800 MT S （OC）：進入BIOS，手動超頻，頻率提公升至7800 MTS。 定時 36-45-45-85 CR2，電壓 142V、AIDA64記憶體測試讀、寫、拷貝和延遲效能資料分別為118。60gb/s、115.22gb/s、109.67GB s，延遲降低至 594ns。
光威龍武DDR5 6800MHz記憶體容量為24G和兩個2，共計48G，為生產力使用或電競娛樂提供了充足的執行空間。 鋁合金材質搭配銀色和黑色雙色搭配和流線型設計，呈現出強烈的質感，尤其在啞光主機的應用中，絕對是yyds。 在效能方面，採用海力士獨創的M-Die粒子，實際效能穩定，內建的XMP引數也能滿足大部分玩家的需求，搭配高階CPU和主機板也能有很好的超頻效能，最重要的是目前不到1000**，價效比絕對滿滿。