英特爾CEO：美國、日本、荷蘭聯手打壓，中國晶元技術落後10年！
中國晶元技術落後於世界尖端技術多少年？
去年上半年，我們認為大概是8-10年，因為中國大陸的技術表面上是14nm，而台積電上半年達到了3nm，14nm到3nm，中間的區別是10nm、7nm、5nm、3nm，所以四代，也就是 大約10年。
然而，在去年下半年，情況再次發生變化，華為麒麟9000s誕生了，這是一款效能可與高通5nm晶元驍龍888相媲美的晶元，電晶體密度也達到了7nm水平。
所以，大家都認為中國大陸和世界頂尖晶元技術的差距，其實只有2代，也就是7奈米和3奈米的差距，而實物只有5年左右。
由於台積電將在 2018 年實施 7nm 技術，而我們現在是在 2023 年，這不是相隔 5 年嗎？
不過，眾所周知，這款晶元推出後，美國更新了晶元禁令，對人工智慧晶元、半導體裝置等的禁運更加嚴格。
與此同時，日本和荷蘭也聽從了美國的建議，全面執行禁令，尤其是日本，擁有大量40nm以下的半導體裝置，要出口到中國需要許可證。
ASML的先進DUV浸沒式光刻許可證也被吊銷，這再次對中國大陸先進晶圓工藝的發展產生了一定的影響。
正因為如此，不久前"達沃斯世界經濟論壇"英特爾CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）表示，在美國、日本和荷蘭的聯合制約下，中國與世界頂尖晶圓製造技術的技術差距是10年！
他認為，隨著美國、日本和荷蘭的聯手，未來幾年中國晶元產業要趕超世界一流水平將更加困難，因為半導體裝置的侷限性將阻礙中國半導體製造業的追趕。
據他介紹，美國、荷蘭和日本的政策設定了10奈米到7奈米之間的最低限度，而中國現有的工具只能生產14奈米，達到7奈米時就不能超過這個最低限度，而台積電、三星和英特爾的技術已經從3奈米到2奈米再到1奈米。
不知道大家對此有何看法？ 從理論上講，如果我們不能有效和快速地超越 7nm，那麼我們很有可能在未來落後 10 年。
但從理論上講，這只是乙個表面問題，我們將不得不等待，看看接下來是否會發生這樣的事情，我們不能停留在原地，所以我相信英特爾首席執行官所說的不會發生。