全球最大的儲存晶元製造商三星電子公司（Samsung Electronics Corporation）贏得了日本領先公司Preferred Networks Inc.的冠軍（PFN）贏得首個2nm節點AI晶元生產合同，擊敗台積電先進的晶元加工技術。
訊息人士周五表示，根據該協議，總部位於南韓的三星將使用其最新的PFN2奈米晶元加工技術來生產AI加速器和其他AI晶元。
一位知情人士表示，PFN自2016年以來一直與台積電合作，但決定在三星的2nm節點上生產下一代AI晶元。
*訊息人士稱，這筆交易對雙方都有利，PFN將獲得更新的晶元技術，這將使其在競爭中佔據優勢，而三星指出，最先進的晶元技術已經贏得了實際客戶，在與台積電爭奪代工市場的競爭中取得了進展。
PFN 成立於 2014 年，以其在 AI 深度學習開發方面的專業知識而聞名，吸引了豐田、NTT 和日本機械人系統製造商等科技公司的大量投資。
據訊息人士透露，PFN已決定放棄台積電，因為三星提供從晶元設計到生產和先進晶元封裝的全方位晶元製造服務。 三星**拒絕確認其與PFN的交易。 分析師表示，這筆交易為更多的2nm客戶開啟了大門，雖然台積電目前擁有超過2nm的客戶，但可能對三星有利的逆轉為更多大客戶與這家南韓晶元製造商站在一起開啟了大門。
台積電是晶圓代工晶元製造領域的領導者，從蘋果和高通等無晶圓廠晶元設計公司那裡竊取了大部分業務。
隨著對高效能晶元的需求不斷上公升，技術進步的競爭非常激烈，尤其是在台積電和三星之間。
在三星之前，這家台灣晶元製造商向蘋果和英偉達等客戶提供採用其 2nm 技術構建的台積電，目標是在 2025 年開始大規模生產採用 2nm 技術的晶元。
三星還表示，它將在 2025 年開始大規模生產用於移動應用程式的 2 奈米工藝，然後在未來幾年內劃分其他用途。
三星表示，將在 2026 年評估用於採用先進 2nm 技術的超級計算機和計算機集群的高效能計算 （HPC） 晶元，然後在 2027 年評估汽車晶元。
三星計畫到 2027 年開始批量生產更先進的 14 nm 晶元。
晶元製造過程標有數字尺寸標籤，該標籤大致表示可以封裝在晶元上的電晶體電路的厚度。 數字越小，技術越先進。
三星的生產技術基於基於GAA電晶體架構的微處理工藝，而台積電則在鰭效應電晶體（FinFET）結構中使用了不同的技術。
從2nm節點開始，代工水龍頭也將採用GAA技術。 我們的技術將在未來五年內超越台積電，“三星負責半導體的裝置解決方案部門負責人Kyung Kye-Hyun去年在南韓的乙個論壇上表示。
三星力爭在2nm技術上超越台積電。
三星電子正在加速與美國台灣台積電和英特爾的競爭，以推出先進的2nm工藝技術，以期在全球晶圓代工市場佔據領先地位。 這三家公司之間的競爭是由 OpenAI 的首席執行官 Sam Altman 推動的，他也是生成式 AI 聊天機械人 ChatGPT 的開發者。 這些公司宣布在人工智慧半導體技術方面獨立，並籌集了930萬億韓元的投資，成為Altman的代工合作夥伴。
焦點在於全球晶圓代工市場第二大三星電子是超越台積電，在2nm競爭中奪得第一名，還是率先獲得新一代光刻裝置。
市場研究公司 Omdia，2 月 14 日** 今年全球晶圓代工市場規模預計將達到 1264 億美元，年均增長率為 138% 至 15383億美元。 預計這種快速增長將受到 5 奈米以下最先進工藝的推動。 去年，5奈米以下工藝的銷售額佔總銷售額的24%8%，預計到 2026 年將飆公升至 412%。
三星電子在 3nm 和 2nm 逐環門 （GAA） 技術的開發方面處於領先地位，並計畫通過先進的工藝技術擴充套件其業務。 GAA技術環繞溝道的三個側面，與傳統的FinFET結構相比，增加了柵極面積，克服了由於工藝小型化而導致電晶體效能下降的問題，提高了資料處理速度和功率效率。
三星正在繼續穩定3nm GAA工藝的量產，並加快2nm工藝的發展。 台積電計畫首次在其2nm工藝中引入GAA技術。 業內推測，三星比台積電更早採用GAA技術，可能在2nm競爭中佔據上風。
英特爾將於 2 月 22 日舉辦晶圓代工論壇，宣布其業務的詳細方向，預計Microsoft首席執行官薩蒂亞·納德拉 （Satya Nadella） 和山姆·阿爾特曼 （Sam Altman） 也將出席。 英特爾計畫在今年上半年開始生產其基於GAA的20埃（A）工藝。 英特爾去年收到了ASML的下一代光刻裝置，並計畫將其應用於2nm工藝，使用20A工藝生產其**處理器（CPU）產品，並向代工廠提供18A工藝，以便在2025年進行大規模生產。 然而，業界普遍認為，由於下一代光刻裝置的初始發布，英特爾在遵守時間表方面可能面臨挑戰。