2023年，儲存晶元市場迎來了近15年來最低迷的一年。 由於需求低迷，出現過剩，各大廠家庫存積壓，為了銷量而降價。 市場一度大了50%，讓消費者深深感受到購買DRAM記憶體和NAND快閃記憶體的好處，比如乙個1TB的SSD只需200元，甚至比之前最便宜的400元還要低。 這種情況導致三星、SK海力士和美光三大儲存晶元巨頭損失了1500億元。 不過，值得一提的是，在這個大低谷的背景下，國內儲存晶元廠商在支撐市場發展方面發揮了關鍵作用。 如果沒有他們的參與，儲存晶元的降價幅度不會那麼大。 多種因素的影響，導致了2023年儲存晶元市場的低迷。 面對如此艱難的市場形勢，國產儲存晶元的發展如何？ 我們將在下面更深入地探討這個問題**。
1.長江儲存：中國有三個儲存晶元基地，其中長江儲存專注於NAND快閃記憶體領域。 長江儲存率先推出“晶棧”技術，迅速從64層突破到128層，最終實現了232層的3dand快閃記憶體。 該公司的技術超越了三星等國際巨頭，成為全球首家量產232層3DNAND快閃記憶體的製造商。 然而，在美國的壓力下，美國**試圖將中國的快閃記憶體裝置和技術限制在128層以上。 因此，目前長江儲存只有少量的232層快閃記憶體生產線，主要生產128層技術。 近日有報道稱，長江儲存推出了一項新的120層技術，目前尚未得到證實，但這表明他們取得了新的突破。 在市場份額方面，長江儲存目前佔全球市場的5%左右，並且正在持續擴大產能，計畫未來達到全球市場份額的15-20%。
2.長鑫儲存：長鑫儲存專注於DDR記憶體領域，已成功生產出DDR5記憶體，處於國際領先水平。 不過，從工藝上看，長鑫儲存仍然落後於三星、SK海力士等競爭對手。 這些公司的工藝已經達到了14奈米左右，而長鑫儲存之前一直在使用21奈米和19奈米的工藝。 此外，美國**還發布了對中國DRAM記憶體的禁令，禁止出口18nm及以下的裝置和技術。 不過，近日有報道稱，長鑫儲存18開始量產5nm工藝的DRAM晶元，月產能高達10萬片晶圓。 同時，長鑫倉儲也啟動了二期建設計畫，預計2024年底完工，屆時月產能將達到140,000件，佔全球DRAM總產能的10%。 可以看出，儘管DRAM儲存器和NAND快閃記憶體受到衝擊，但國內廠商仍在技術和產能上取得突破，競爭力正在逐步提公升。
受儲存晶元市場低迷影響，國內儲存晶元廠商不得不減產以應對激烈的競爭，但這也是他們面臨的一大壓力。 但是，由於競爭對手眾多，中國製造商具有成本優勢，因此他們不得不降價以爭奪市場份額。 希望未來國內儲存晶元廠商能夠繼續突破技術瓶頸，提高產能和市場占有率，以實際行動回應消費者的期望。 只有這樣，產品才能切實惠及廣大消費者，穩步發展。
綜上所述，面對低迷的市場形勢，國內儲存晶元廠商仍在努力發展。 雖然受到一定的限制和打壓，但不斷突破技術難關，擴大產能，逐步提高在國際市場上的競爭力。 未來，我們有理由相信，國內儲存晶元廠商的努力將取得更加顯著的成果，為中國儲存晶元領域的發展做出更大的貢獻。