日本奈米壓印機製造5nm晶元，繞過EUV光刻機，全部出貨！
眾所周知，今天的晶圓製造工藝基本上是以光刻工藝為基礎的。 另一方面，光刻需要使用與 KRF、ARF、ARFI、EUV 等相容的光刻機。
因此，光刻工藝已成為整個IC製造過程中最重要的器件。 目前，光刻工藝主要由ASML控制，其中高階EUV最為突出，ASML排除100%，在ARFI光刻領域，ASML排除了98%以上。
另一方面，ASML由美國控制，因此美國和ASML在光刻工藝方面完全控制了全球晶圓製造商。
在此背景下，全球許多其他半導體器件製造商都在尋找一種新的ASML和極紫外光刻方法。
例如，俄羅斯開發的X射線光刻技術、日本開發的奈米壓印技術、歐洲自主研發的DSA技術都試圖繞過光刻技術，尤其是極紫外（EUV）光刻技術，這是製造5nm及以下工藝的EUV光刻技術所必需的。
2023年，日本佳能已經製造出一種可以製造5奈米晶圓的奈米列印裝置。
光刻與傳統的紫外光刻有很大的區別，前者需要先在晶元上壓印，然後將晶元列印在晶元上製成電子電路。
此外，奈米壓印光刻比極紫外光刻低10%左右，功耗僅為極紫外光刻的10%左右。
即使使用奈米印刷機製造5nm晶圓，裝置成本也只有原EUV光刻機的40%，大約是成本的一半。
佳能前段時間宣布，其量產的FPA-1200NZ2C器件將於2024年投入5nm工藝，屆時5nm工藝將擺脫EUV光刻工藝的限制。
但是，這些奈米列印和壓花裝置不能出口到中國，佳能已經明確表示，日本當局對40奈米及以下製造的裝置有嚴格的控制，必須獲得許可證才能出口到中國。
而且，光刻和奈米技術是兩種不同的技術，在很多領域都不同，在綜合性能方面，奈米光刻要低得多。 因此，即使佳能擁有這項技術，恐怕也很少有廠家願意購買，因為EUV已經非常先進，非常可靠和高效，目前還沒有條件實現奈米列印。
事實上，在沒有任何約束的情況下，最有可能被收購的是中國廠商，因為EUV光刻機沒有貨，國內廠商目前也買不到，佳能的客戶也不多。