ASML Research Super NA光刻機！ 2024年影響0 2nm工藝

法士特科技2月17日報道稱，ASML已向英特爾交付了首颱高數值孔徑EUV極紫外光刻機，將用於製造2nm工藝以下的晶元，未來台積電和三星也將收到，可直接達到1nm工藝。

那麼在那之後呢？ 據訊息稱，ASML正在研發下一代Hyper NA光刻機，以延續摩爾定律。

ASML第一代Low Na EUV光刻機僅為033 Na（孔徑值）和臨界尺寸 （CD） 為 135nm，最小金屬間距為26nm，單個**下的內部連線間距約為25-30nm，適合製造4 5nm工藝。

使用雙**，內部連線間距可以減小到21-24nm，並且可以製造3nm工藝，例如台積電N3B。

第二代EUV光刻機增至055 Na，臨界尺寸減小到8nm，最小金屬間距約為16nm，可以製造3-1nm，例如，英特爾透露它將在1首先在 4nm 節點上使用。

在接受採訪時，ASML首席技術官Martin Van den Brink證實，ASML正在研究Hyper NA技術的發展，並繼續推進各種光刻指標，其中NA值將超過0。7. 預計2030年左右完工。

它表示，新的EUV光刻機適用於製造邏輯處理器晶元，比高數值孔徑雙**便宜，也可用於製造DRAM儲存晶元。

ASML披露的資料顯示，低數值孔徑光刻機的成本至少為183億美元，高數值孔徑光刻機更是3起價為 8 億美元。

根據微電子研究中心（IMEC）的路線圖，應該有可能在2030年左右推進到A7 07nm工藝，其次是A5 05nm、a3 0.3nm、a2 0.2nm，但這必須在 2036 年左右發生。