日前，英特爾收到了ASML全球首款高數值孔徑EUV光刻機，引起了廣泛關注。 就在大家以為英特爾領先台積電一步，可以使用最先進的EUV光刻裝置生產18A工藝時，卻有訊息稱暫時不會使用。
英特爾首席執行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）在最近的季度財報會議上表示英特爾不會在 18A 節點上使用 High-NA EUV 光刻機，該裝置將儲存到下乙個“主要”節點
18a 是英特爾 18nm工藝是其重回製程技術領先地位的關鍵工藝，高數值孔徑EUV也是2nm及以下工藝的關鍵裝備。 但是，為什麼英特爾不在關鍵節點上使用高數值孔徑 EUV 光刻機？ 沒有High-NA EUV的助力，英特爾如何在2025年重回製程技術第一？
為什麼英特爾不使用高數值孔徑EUV來生產18A工藝？
首先，我們來看看高數值孔徑EUV光刻機，它是一種極高數值孔徑的極紫外光刻技術。 這意味著它可以實現更高的解像度和更低的製造成本。
在晶元製造中，解像度決定了晶元上電路的細度，製造成本直接關係到產品的競爭力。 因此高數值孔徑EUV光刻機的研發與應用被視為未來晶元製造的關鍵，是未來製造2nm及以下晶元的關鍵裝備。
然而，基辛格說出於風險管理原因，英特爾不會在 18A 節點上使用高數值孔徑 EUV。
根據基辛格的說法，風險管理是英特爾努力推動其內部行業走向世界領先地位的重要組成部分。他認為，引入高數值孔徑EUV光刻機作為風險因素，可能會給英特爾的工藝開發和生產帶來不必要的風險。
根據基辛格的解釋，筆者得出結論，大概有以下原因。
1.風險控制：英特爾在努力重新奪回其內部行業作為世界領導者的地位時，可能認為引入高數值孔徑EUV光刻機作為風險因素可能會帶來不必要的風險。 因此，為了保證穩定性和可靠性，英特爾決定推遲下一代光刻技術的應用。
2.技術成熟度：雖然高數值孔徑EUV光刻機被認為是未來晶元製造的關鍵技術，但其技術成熟度可能還沒有達到英特爾的要求。 英特爾可能希望在將該技術應用於生產之前確保該技術成熟且可重複。
3.生產成本：高數值孔徑 EUV 光刻機的購買和維護成本非常高，這可能會給英特爾帶來生產成本方面的壓力。 英特爾可能認為，現階段推出高數值孔徑EUV光刻機將對其盈利能力產生負面影響。
當然，這一決定也引發了業界對英特爾未來技術發展的擔憂，如何在製程技術上重回第一成為人們非常關注的問題。
沒有High-NA EUV的幫助，英特爾如何超越台積電，重回第一？
英特爾有制定“4年5節點”戰略，在2025年擊敗台積電等巨頭，重回製程技術領先。 其中，18a程序是其回歸第一的關鍵程序。 但英特爾收到了ASML最先進的High-NA EUV光刻機，但它並沒有將其用於這個最關鍵的工藝。
沒有先進裝置的幫助，英特爾如何才能在工藝技術上重回第一？ 其實它也可以做好以下四件事。
1.英特爾可以進一步發展其系統級代工戰略，為晶圓製造、封裝、晶元、軟體等提供一攬子解決方案，以確保其工藝技術的持續進步和領先地位。 此外，英特爾還可以與 43 個潛在客戶和生態系統合作夥伴合作，測試和優化晶元設計。
2.英特爾可以通過架構創新來推動競爭優勢。 例如，RibbonFET 全環繞柵極電晶體和 PowerVia 背面供電技術幫助英特爾提高了其晶元的效能、能效和可靠性，以確保其在工藝技術方面保持領先地位。
3.在不使用高數值孔徑 EUV 光刻機的情況下，英特爾還可以通過不斷優化現有工藝技術來提高晶元效能。 例如，改善工藝流程、提高裝置效率、降低不良率等，通過不斷的技術優化，確保其在工藝技術上保持競爭力。
4.英特爾可以與其他技術領導者、研究機構和大學合作開發新的工藝技術。 通過與外部組織合作，英特爾可以獲得更多的技術資源和人才支援，以推動其工藝技術的持續創新。
總之，英特爾要想在不使用高數值孔徑EUV光刻機的情況下，在2025年重回製程技術領先地位，那麼就應該做好充分準備，在晶圓代工戰略、架構創新、優化技術、加強合作等方面下多功夫。
那麼，您為什麼不認為英特爾現在正在使用 High-NA EUV？ 歡迎留言討論。
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