三星在美國開設了乙個新實驗室，研究下一代 3D DRAM 的開發

南韓媒體《南韓時報》（The Korea Times）報道稱，三星已在美國設立了乙個新的實驗室，專注於開發下一代3D DRAM。

據訊息人士透露，新實驗室位於矽谷的美國裝置解決方案（DSA）部門，負責三星在美國的半導體生產，並致力於開發DRAM的公升級版本，使三星能夠引領全球3D DRAM市場。

三星去年 10 月表示，它正在為 10 奈米以下的 DRAM 準備一種新的 3D 結構，以實現超過 100 Gb 的更大單晶元容量。

3D DRAM 是指使用“3D”工藝製造的 DRAM，它通過堆疊晶元、記憶體模組等來更好地利用物理硬體限制。 例如，3D 快取是一種製造過程，它堆疊乙個通用的 CPU L3 快取，以增加載板的記憶體容量。

三星在 3D DRAM 方面的工作有助於提高記憶體容量，在 CPU 製造過程中使用 3D 堆疊技術增加 L3 快取已被證明是顯著提高容量和效能以應對受限工作負載的有效方法。

三星3D DRAM的持續推進將幫助整個計算市場，增加高階記憶體容量，降低入門級成本，並為PC硬體帶來重大進步，伺服器運營商有望率先受益。

標題圖片**：三星）。