摩爾定律停滯不前，中國晶元有充足時間趕上台積電和三星！
眾所周知，在晶元技術方面，中國中國大陸與世界先進晶元技術還有很大差距。 例如，台積電和三星已經推出了 3nm 工藝，並將在 2025 年推出 2nm 工藝。
我們該怎麼辦？ 目前的14奈米，即相差約10年。
華為的麒麟9000意味著我們距離7奈米工藝還有很長的路要走，就算是7奈米，也需要五年多的時間，只要有一點腦子的人都能看到。
這也是美國想要阻止或拖延美國在晶元技術上的進步，以便美國能夠從中獲益的原因。
例如，極紫外光刻機不需要銷往中國大陸，現在，兩台最先進的深紫外浸沒式光刻機不需要銷往中國大陸**。
誠然，情況很嚴重，但我們不必太擔心，因為目前的晶元技術已經達到了物理極限，完全可以趕上台積電和三星。
晶圓工藝中的14nm、7nm、3nm等是什麼？ 也就是說，門的寬度。 也有一些人使用它"線寬"（線寬）表示晶元的最小蝕刻寬度。
然而，自28nm工藝以來，晶圓行業的線材厚度並沒有實質性的改善，因為電路只能提供幾十個甚至數百個原子寬的電力。
從28nm開始，晶圓工藝的進步主要體現在架構和工藝的改進上，從而實現了相同的能效和效率。
比如28nm的工藝，我們用28nm的工藝來做，在下一代的工藝中，線寬保持不變，理論上也是28nm，但是因為架構、工藝等方面的改進，它增加了15%，現在是28奈米，還是22奈米？ 比如 22nm、14nm、10nm 等等。
同樣，7 nm、5 nm 和 3 nm 並不意味著 7 nm、5 nm 和 3 nm 線寬，而只是架構、工藝等方面的改進，因此理論上它們具有 5 nm 和 3 nm 的能效和功能。
前段時間，晶元製造工藝的發展並不依賴於降低線重，而是通過更先進的架構，如FinFET電晶體、Gaafet和3D電晶體堆疊"再現"摩爾定律，這些結構最終意味著"等效過程"過程！ 在。
此外，由於線寬並沒有真正減小，因此需要光刻和蝕刻裝置等半導體裝置來製造此類晶元。 在這樣的情況下，所謂的晶圓製造工藝雖然還在往前走，但實際上卻停滯不前，我們還有充足的時間去追趕。
即使我們沒有先進的EUV光刻技術和先進的浸沒式深紫外光刻技術，我們也可以通過公升級結構和工藝，改進電晶體結構，改進封裝工藝來解決這個問題。