2023 年 11 月底，濱松推出了業界首款 Sapphire SLM，將 LCOS 的平均功率閾值提高到 700 W 以上，測量功率密度超過 3,127 W cm2。 接下來，我將以文字版的形式，快速帶大家了解一下最**LCOS的優點。
雷射功率密度
強光對LCOS造成的不可逆損害主要有三種型別：
1、雷射能量被LCOS吸收，溫度不斷公升高，產生相位漂移。 該損傷閾值由雷射的平均功率決定，可以通過製冷來增加
2.對於脈衝雷射器，由於單個脈衝的瞬時能量極高，還可能對LCOS造成另一種損害。 也就是說，LCOS對雷射的非線性吸收將導致溫度的快速公升高和液晶層的損壞。 這是由峰值功率閾值決定的;
3.紫外線傷害。
當以上三個條件都在安全閾值內時，可以保證LCOS不會損壞。
對於脈衝雷射器，入射雷射器的峰值和平均功率密度都需要小於閾值。 對於連續雷射器，入射雷射器的平均功率密度需要小於閾值。 下表顯示了每個型號可以承受的平均功率水平。
在上表中，建議光斑直徑至少為 8 公釐鋁反射面的功率密度不超過500 MW cm2;根據最高平均功率，其他型別的光斑直徑至少為 8 mm。 如果無法進行光束擴充套件，或者超過上述最大值，請聯絡濱松工程師進行確認。
由於水冷型號不能提高峰值功率密度閾值，因此同一頻段的水冷型號和非水冷型號的峰值功率密度閾值相同。 （例如，-03Cl R、-03BL R 和 -03 具有相同的峰值功率密度閾值。 )
基本引數
輕利用率
為了提高光的利用率，最大限度地減少調製過程中光能的損失，濱松的LCOS產品是反射式的，介質鏡型號的光利用率高達97%以上（引數範圍內的所有波段）。 這裡光利用率定義為通過LCOS液晶表面反射的光的反射率。 定義為：平均反射光強度佔入射光強度的百分比。
在上表中，97%的光利用率適用於模型引數範圍內的所有波長，90%以下的模型的光利用率可能因波長的不同而有很大差異。 （請聯絡濱松工程師了解實際測試波長。 )
重新整理率
對於X15213-03Cl CR，液晶的響應時間，從影象訊號發出到液晶調製完成，主要有兩個時間，乙個是DVI訊號的重新整理時間，即1 60Hz=167ms;另乙個是液晶的響應時間。 所以後續的重新整理率是：
standard type = 1/(16.7ms + fall time)
對於 X15223-03CL CR（僅出售給 OEM 客戶），使用外部觸發控制時，重新整理率僅與 LCD 的下降時間有關，因此：
OEM 型別 = 1（下降時間 + TTL 觸發訊號傳輸時間）。
每個型號的下降時間如下表所示
一階衍射效率
一階衍射效率，即LCOS的真正“衍射效率”，由光柵載入時（使用LCOS作為光柵）的一階衍射光的能量作為無光柵的零階光能量的百分比來定義。 在大多數應用中，使用一階光，因此一階衍射效率越高，調製效率越高。 （但對於同一產品，畫素越小，一階衍射效率越小。 因此，解像度和一階衍射效率是兩個權衡量。 )
圖中-03代表-03 -03BL -03BR -03Cl -03Cr，其他水冷模型的一階衍射效率與同一非水冷模型相同。 黑點表示使用柵格公式計算的理論值。
線性
相位調製的線性度是光調製精度的關鍵引數，濱松致力於追求高精度調製，在效能方面取得了行業最佳的成績。 並且由於出廠時所有引數中出色的硬體線性度和波長的LUT曲線，為使用者省去了校準的麻煩，進一步提高了調製精度。
高光下良好的線性度：
應用