英特爾CEO警告美日荷聯手打壓，中國晶元技術或將落後10年！

英特爾CEO警告：美日荷聯手打壓，中國晶元技術可能落後10年！

中國落後於世界多少年？

去年上半年，大家都認為需要8-10年的時間，因為中國大陸已經掌握了14nm工藝，台積電在今年上半年完成了3nm工藝。

但自從華為去年年底推出麒麟9000晶元以來，情況發生了變化，該晶元的效能可與高通的5nm晶元Snapdragon 888相媲美，後者的電晶體密度為7nm。

很多人認為，中國的晶元技術距離世界最先進的技術只有兩代的差距，從7nm到3nm，只有五年的差距。

台積電的7nm工藝要到2018年才能開始量產，這不就意味著我們要等到2023年嗎？

但眾所周知，這款晶元推出後不久，美國就收緊了對晶元的禁令，加強了對人工智慧晶元和半導體器件的禁運。

就日本和荷蘭而言，它們跟隨美國的腳步，對中國，特別是日本實施全面禁運，日本必須獲得進口小於40奈米的晶元的授權。

ASML的深紫外光刻生產許可證也被吊銷，這對中國晶元製造業的發展產生了重大影響。

正因為如此，英特爾公司首席執行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）在達沃斯世界經濟論壇上表示，由於美國和荷蘭的聯合制裁，中國與世界領先工廠之間的技術差距將在2024年達到10年。

隨著美國、日本和荷蘭的加入，由於半導體裝置的侷限性，中國晶元產業很難達到世界先進水平。

他表示，10奈米到7奈米的工藝在美國、荷蘭、日本等國家，以我國目前的技術水平是有底線的，最高7奈米，是無法突破這個極限的，而台積電、三星、英特爾等公司從2奈米，甚至1奈米開始。

對此，你怎麼看？ 從理論上講，如果7nm技術不盡快推出，它將推遲10年。

但這只是乙個理論，未來取決於情況，我們不能永遠停留在原地，所以英特爾CEO所說的那種情況不太可能發生。