長鑫儲存計畫生產HBM記憶體，填補國產記憶體產品空白

近年來，對高頻寬記憶體的需求急劇上公升，尤其是隨著人工智慧 （AI） 熱潮的到來。 三星、SK海力士、美光是HBM市場的三巨頭，目前都在開發新產品，尤其是HBM4等下一代技術，受到業界高度關注，有望在未來佔據主導地位。

據相關**報道，長鑫儲存（CXMT）計畫生產HBM儲存器，正在採購必要的裝置，並且已經獲得了用於HBM儲存器組裝和測試的裝置。

目前市場上主流的 HBM3 是 8 層或 12 層垂直堆疊，通過矽通孔 （TSV） 互連，然後放置在通過 1024 位介面連線的基本邏輯晶元上。 雖然看起來很簡單，但實際上並非如此，製造 HBM 是一項複雜的任務。 它生產的裝置與傳統儲存裝置有著根本的不同，它們在生產過程中經過測試，然後封裝，最後是整個堆疊。 這需要大量的工具和專業知識，但 HBM 產品在頻寬和能效方面優於市場上所有其他型別的記憶體。

長鑫儲存已經在合肥附近運營了一座DRAM晶圓廠，並籌集資金建造第二座晶圓廠，該晶圓廠將引入更先進的工藝技術來製造和封裝HBM儲存器。 此外，長鑫儲存尚未開發出自己的HBM生產和包裝技術，目前尚不清楚HBM是什麼型別，預計未來一到兩年內不會看到相關產品。

國內一些晶元廠商也希望將HBM與邏輯晶元整合，類似於台積電的COWOS封裝，這也迫使中芯國際開發更先進的封裝技術。