MOSFET柵極 源極的下拉電阻的作用是什麼？

MOSFET柵源下拉電阻的作用是什麼？

公尺勒電容：柵極 （g） 和漏極 （d） 之間的寄生電容。

當MOSFET關斷時，公尺勒電容的存在會導致MOS電晶體的VDS產生從接近0（飽和壓降）到匯流排的電壓變化過程，這個電壓變化率為“DV DT”，但電容器是發生電壓變化的器件，電容器兩端的電壓發生變化， 也就是說，生成了當前的“I”。

Gs之間有一層絕緣體，即二氧化矽（SiO2），所以G-S是高阻抗（從幾十到幾百兆不等），一旦驅動異常，就可以通過公尺勒電容的電流給G-S充電，小電流和高阻抗可能對應高電壓， 柵極電壓充電，當超過閾值電壓“VGS（TH）”時，會導致MOSFET重新開路，這是乙個非常危險的情況。

你可以看一下這種反激式電源拓撲的MOSFET驅動器，即公尺勒電容電流通過驅動晶元的內部下拉低電阻環路釋放，從而避免柵極被高電荷和誤導。

這裡我們知道驅動晶元內部已經有下拉電阻，但是如果驅動電阻RG在外部情況下開路或未連線，那麼下拉電阻（R8）可以為公尺勒電容提供下拉路徑，使MOS電晶體G-S能夠保持低阻抗和穩定的安全狀態。 這就是下拉電阻的用武之地。

下拉電阻還有另乙個用途：預保護電阻。

我們知道MOS電晶體G-S是一種高阻抗，這就是為什麼它是一種ESD敏感器件。 其高電壓施加在柵極上，不易放電，累積過程會損壞G-S極之間的二氧化矽層，導致器件失效。

因此，下拉電阻還考慮了功耗和實際洩放。 一般在中小功率電源（0 500W）中選擇這個電阻值在10k-20k左右，選擇大功率電源47k~10k。

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