近日，有個大新聞傳來，經過五年漫長的訴訟，福建金華積體電路***迎來正義，美國法院裁定福建金華沒有竊取美國晶元公司的商業機密，無罪。
這是乙個很長的故事，我會給你乙個詳細的解釋。
2016年，國內建立了三大儲存晶元基地，分別是長江儲存、長風NAND快閃記憶體、長鑫儲存、DRAM儲存和福建金華，專注於DRAM儲存。
福建金華正在與聯電合作，前期委託聯電進行研發，技術由雙方共享，整體技術完成後再轉給聯電進行量產。
初期投資計畫200多億美元，分三期，一期53億美元，2018年三季度投產，月產能6萬件以上。
當一切進展順利時，2017年9月，美國儲存晶元公司美光跳出來，稱聯電員工竊取了美光的DRAM商業機密，然後用於幫助金華開發DRAM產品。
為什麼美光會跳出來？ 這不難理解，美光是全球儲存晶元巨頭，其在中國的營收佔比高達40%。
後來，美光起訴福建金華，聲稱福建金華使用了美光的技術，隨後美國將金華列入出口管制的“實體清單”，後來福建金華也起訴美光，聲稱美光侵權。
後來，在2018年11月，美國司法部起訴福建金華和聯電竊取商業秘密。
迫於壓力，聯電於2020年認罪，支援6000萬美元的罰款，並選擇和解。 而在2021年，美光與聯電達成全球和解，聯電從這兩起訴訟中抽身而出。
不過，美光與福建金華的訴訟尚未結束，美國起訴福建金華一事也未結束，仍在進行中。
截至2023年12月，美光與福建金華全球和解，雙方不再有任何侵權或糾紛。
然而，美國司法部仍在推進對福建金華的訴訟，畢竟他們的目的不僅僅是打壓福建金華，更是打壓中國科技的崛起，想藉此機會以“保護美國技術”的名義阻撓中國科技的發展。
不過，很明顯，這起涉及“竊取美國公司商業機密”的指控現在已經告一段落，而這背後，我想也意味著美國已經認輸了，畢竟中國儲存晶元的必然崛起已經到來，但美光在中國，而且越是喜憂參半， 越是不能混，就要認輸，換取美光在中國的發展。
不過，不管怎麼樣，估計美光都回不了過去，在中國市場估計不可能回到40%，畢竟國產儲存晶元已經研發出來了，長存和長鑫都不會對美光客氣。