目前，在晶元製造領域，光刻工藝是幾乎所有晶圓廠都採用的工藝，尤其是在相對先進的工藝中，即全是光刻工藝。
在光刻工藝下，光刻機、蝕刻機是必不可少的，其中光刻機是最重要的，由於其門檻高、研發難度大、鏈條複雜，是所有晶元製造裝置中裝置最多的。
更何況，世界上只有四家廠家能夠生產光刻機，只有ASML能夠生產7nm及以下晶元的EUV光刻機。
可以說，任何一家光刻機廠都很難製造出EUV光刻機，ASML已經將所有的上下游都綁在了自己的軍艦上。
因此，其他光刻機廠家，近年來基本上都繞過了EUV技術，尋找其他技術來實現與EUV光刻機相同的功能。
其中，有幾種技術大家也非常熟悉，分別是NIL奈米壓印技術、BLE電子束技術、X射線技術、DSA自生長技術。
這四種技術被認為是最有可能繞過EUV封鎖，實現7nm及以下技術方向的技術。
其中，NIL奈米壓印技術進步最快，日本光刻機製造商佳能幾年前與SK海力士合作推出了用於儲存晶元的NIL奈米壓印機，但它被用於65nm這樣的工藝。
而去年，佳能發布了最新的奈米壓印半導體器件FPA-1200NZ2C，稱它可以用於製造5nm晶元，而無需使用EUV。
近日，佳能再次表示，這款奈米壓印機FPA-1200NZ2C將於今年量產，這款奈米壓印機的成本僅為EUV的10%左右，功耗僅為EUV技術的10%。
同時，使用奈米壓印機後，其配套裝置，與EUV配套裝置相比，降低了40%。
佳能還表示，該裝置未來將繼續公升級，到2026年，有望用於製造2nm晶元，完全繞過EUV光刻機解決方案。
當然，由於這款奈米壓印機FPA-1200NZ2C還沒有完全量產，不知道佳能是在吹牛，還是真的好。
同時，有業內人士表示，奈米壓印技術的良率估計低於EUV，產能和效率將遠低於EUV解決方案，因此不太適合大規模晶元製造行業，更適合小批量晶元生產。
然而，不可否認的是，如果佳能的技術完全量產，將對EUV光刻機產生巨大影響，成為真正的顛覆者。
因為禁令，我們目前肯定買不到，但至少也給了我們乙個新的學習方向，也許接下來，我們不必死在EUV技術上，你怎麼看？