跟蹤 Hyper Intel Gelsinger 在 2030 年超越三星

Mondo 科技 更新 2024-03-07

作者:周元華爾街新聞。

英特爾最近更新了其代工藍圖:2026-2027,英特爾 14 1nm將陸續投產。 這是英特爾首次正式公布1nm晶圓代工時間表。

2021 年,英特爾首席執行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 向英特爾的客戶和投資者透露,他已經制定了一項雄心勃勃的計畫,即在四年內完成五個工藝節點(7、4、3、20a、18a)的製造,最終目標是重新獲得代工領域的領導地位。

這個計畫是,到2030年,英特爾的外部晶圓代工廠規模將僅次於台積電,超過全球晶圓代工、聯電和三星,成為全球第二大晶圓代工廠。

英特爾最新晶圓代工藍圖顯示,英特爾10A(1nm工藝)將於2027年底進入量產開發(非量產),標誌著公司首個1nm節點的到來; intel 14a(1.4nm)節點將於2026年投產。

自 Gelsinger 在 2021 年披露了工藝節點的製造計畫以來,英特爾首款基於 EUV 節點的英特爾 4 產品已經推出,其大批量對應產品英特爾 3 也已準備就緒。 與此同時,英特爾正在對 2024 年和 2025 年的第一款 Gaafet 帶狀 fet 進行最後的潤色。

根據最新的晶圓代工藍圖路線圖,在高效能高密度軌道上,14a(14nm)將成為英特爾第乙個使用高數值孔徑(High-NA)EUV的節點。該節點將於2026年投入大規模生產。

這是業界首個使用ASML EUV光刻機的工藝節點。 最新一代光刻機重達15噸,造價高達27億元,可製造2奈米以下最先進的工藝。 英特爾是目前唯一一家購買了這種光刻機裝置的公司。

英特爾將其代工業務押注在High-NA上,這與英特爾在EUV領域的起步相對較晚形成鮮明對比(英特爾4 Meteor Lake是第一款產品)(以前保守,現在積極進取)。 目前,英特爾已經收購了迄今為止世界上唯一的高數值孔徑掃瞄器。

憑藉High-NA的技術效能,14a將是英特爾在20a和18a合併後的第乙個全節點。 如果一切按計畫進行,這項技術將進一步鞏固英特爾作為晶圓廠工藝技術領導者的地位。 當然,這也包括在2026年之前的風險測試不會出現意外。

目前,14A 節點的變體包括 E(更高的電壓和溫度,效能提高 5%)、P(Plus)(效能提高 5%-10%)和 T。

值得一提的是18a工藝節點。 基辛格剛剛公開表示,“我把整個公司都押在18a流程上。 基辛格重申了 18A 流程對英特爾的重要性,這比 2023 年底的宣告更加堅定。

18a 工藝是英特爾加速路線圖中恢復技術領先地位的第五個節點,將於 2025 年投入生產,以重新獲得工藝領先地位。

雖然實際上 18a 沒有採用 18nm工藝,但英特爾表示,其自身的18A工藝在效能和電晶體密度方面可以與台積電競爭8nm工藝與台積電的2nm工藝相當,更先進。

如果比較電晶體密度和GAA(全環繞柵極)架構,兩者之間實際上有很大的區別(與台積電2nm相比)。

與台積電的2nm製程相比,18a製程中的“背面電源”技術(即英特爾所說的Powervia)確實比台積電更先進。 該技術從晶元的背面而不是正面為電晶體供電。 基辛格稱這項技術是晶元行業的“哈利路亞”時刻。

除了技術優勢外,18a 工藝是英特爾雄心勃勃的計畫的核心,即到 2030 年成為世界第二大晶圓代工廠。 目前,台積電是全球最大的晶圓代工廠,其次是三星。 英特爾希望通過IFS(Intel Foundry Services)部門取代三星,而18A工藝被認為是英特爾吸引客戶的重要砝碼。

Microsoft首席執行官Satya Nadella宣布“Microsoft將基於Intel 18A工藝製造晶元。

2 月 22 日,英特爾宣布已完成其主要產品 Clearwater Forest 18A 的流片。 ClearWater 基於英特爾的第二代 e-core、Xeon(Sierra Forest 的繼任者),是英特爾代工技術的優秀產品。

由於英特爾在工藝節點上取得的重大進展,英特爾代工事業部已從原來的代工團隊更名為英特爾代工服務,從而開啟了英特爾“系統代工”發展的新階段。

英特爾的整個晶圓代工服務線,從晶圓廠到測試再到先進封裝,現在都在新更名的英特爾代工旗下。

看起來英特爾正在向台積電借款。 例如,它強調英特爾提供服務,不僅希望為客戶製造晶元,而且希望成為晶元生產的一站式商店。 因此,除了向客戶提供晶圓光刻技術外,英特爾還向潛在客戶開放了先進封裝、晶元組裝和測試的完整生態系統。

如果客戶願意,他們將能夠從英特爾獲得完整的晶元,甚至可以利用英特爾的個性化服務來實現他們的目標。

成為僅次於台積電的全球第二大晶圓代工廠是英特爾今天領導的雄心壯志,基辛格。 他在 2 月 26 日於加州舉行的晶圓代工大會上詳細解釋了這一點,“當我說 2030 年成為第二大晶圓代工廠時,我的意思是'為了我們的'外部晶圓代工廠(僅限商業)。 ”

根據 Gelsinger 在 2021 年制定的“4 年,5 節點”技術路線圖,英特爾共有 5 項工藝節點技術(加上 14A 和 10A)。

這些包括,首先,傳統的成熟工藝10nm和7nm,對應Intel 7和Intel 4已經投放市場; 其次,3nm(對應Intel 3)的先進工藝已準備好量產,旨在趕上台積電和三星。

三、未來工藝2nm(對應Intel 20A)和18nm(對應Intel 18A)也將如期上市。 英特爾預計到 2025 年將通過英特爾 18A 工藝節點重新獲得工藝領導地位。

作為美國為數不多的擁有晶圓工廠、兼具設計和代工能力的晶元IDM廠商,英特爾由於“死”10nm晶元工藝在研發上的戰略失誤,被迅速崛起的競爭對手台積電和三星超越並甩在後面。

2020年,英特爾不得不將7nm晶元的代工業務外包給台積電,5nm和3nm的大部分訂單都不得不由台積電完成。

2021年,英特爾現任掌門人基辛格上任後,最重要的戰略決策是讓LinkedIn Tel重回晶元代工業務。

為此,基辛格開發了三個關鍵的戰略能力:晶元設計、技術架構、工藝技術和大規模製造能力。

隨後,英特爾同時在世界各地建廠,以擴大產能。 目前,英特爾已宣布計畫在美國、以色列和愛爾蘭建設和改造晶圓工廠,投資超過250億美元。 2024年,英特爾宣布與台灣全球第四大晶圓代工廠聯電建立合作夥伴關係。

自美國和歐盟出台晶元法案以來,晶元產能成為支撐當地半導體產業、保障第一鏈安全的關鍵。 英特爾被認為是目前這兩項法案的最大受益者之一,從美國獲得了100億美元的補貼,從歐盟獲得了68億歐元的補貼。

據TrendForce集邦諮詢統計,2023年第二季度,英特爾首次躋身全球晶圓代大廈前10名,排名第九,約佔全球晶圓代工市場份額的1%。 排名前三的廠商分別是台積電、三星和格芯,分別佔4% 和 62%。

就收入而言,我們將成為第二大代工廠,包括包裝業務的收入。 這是我為我們團隊設定的目標,這比我從內部代工業務中獲得的收入還要高。 所以它是兩者的結合。 “我相信,如果我進行適當的比較,我的鑄造廠將成為行業第二大鑄造廠。 ”

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