目前，全球半導體裝置市場被日本、美國和歐洲壟斷，國內半導體產業一直面臨巨大的風險和挑戰。 為了擺脫對進口裝置的依賴，提高自主研發能力和半導體裝置的自給率，中國一直在不斷努力。 經過幾年的發展，我國半導體裝置自給率取得了一定的突破，不再完全受制於人。 幸運的是，2024年，我國新型半導體裝置整體自給率已達到35%左右，與2024年的7%相比，大幅增長了400%。 雖然還有很長的路要走，但這是乙個令人鼓舞的好訊息。
在晶元製造過程中，半導體裝置的重要性不言而喻。 然而，目前市場上90%以上的半導體裝置被日本、美國、歐洲等發達國家壟斷。 這種情況使中國晶元產業處於巨大的風險之中，一旦受阻，先進裝置將無法進口，嚴重威脅中國晶元產業的發展。 因此，提高半導體裝置的自給率成為擺脫外部依賴、保障晶元產業安全的關鍵措施。
然而，半導體裝置要實現自給自足，不僅需要技術突破和創新，還需要在第一鏈上進行國產替代。 雖然國內自給率有所提高，但目前國產裝置主要以成熟技術為主，先進技術仍依賴進口。 因此，還需要繼續加大研發力度，提高先進裝置的國產化水平，確保首鏈的完整性和穩定性。
根據2024年的資料，國內晶圓廠採購的部分核心裝置的國內生產率顯示，許多裝置的國內生產率已經超過30%。 其中，國內刻蝕裝置生產率達到54%，清洗裝置國內生產率達到68%，相當可喜。 這也意味著我國在半導體裝置研發領域取得了一定的突破，在一些工藝節點上已經開始具備自主研發和生產能力。
但是，我們也要看到，雖然自給率有所提高，但國產裝置主要集中在相對成熟的28nm工藝，少數已經達到14nm，而先進的工藝裝置仍然依賴進口。 因此，有必要進一步加強技術攻關，加大先進工藝裝備的研發投入，實現國產裝置在更高工藝節點的自給自足，從而真正擺脫對進口裝置的依賴。
雖然國產半導體裝置的發展取得了一些成就，但仍面臨一些挑戰。 首先，在技術研發方面還存在差距，特別是在先進工藝裝備領域，與國際先進水平相比還有一定的差距。 其次，第一鏈條的完善度有待進一步提高，包括原材料和零部件的國產替代。
然而，中國半導體產業的潛力和發展空間是巨大的。 隨著國內產業鏈的完善和技術實力的提公升，相信國產半導體裝置的自給率將持續提高。 同時，也在積極推動半導體產業的發展，加大對研發和創新的支援力度，為國產半導體裝置的發展提供了良好的環境和機遇。
國產半導體裝置自給率的提高，是我國半導體產業自主發展的重要里程碑。 儘管目前的自給率仍然有限，主要集中在成熟的工藝上，但速度提高400%是令人鼓舞的。 然而，半導體裝置要實現完全自給自足仍面臨諸多挑戰，特別是在技術研發和**鏈條的完善方面。
未來，國內半導體裝備行業需要繼續加大創新力度，加強技術攻關，加快先進製程裝備的國產化程序。 同時，加大對半導體產業的支援力度，鼓勵企業加大研發投入，加強產學研合作，增強自主創新能力。 只有這樣，才能實現半導體裝置自給率的突破，才能保證民族晶元產業的安全和可持續發展。