隨著科技的不斷發展，國內晶元產業的發展面臨著乙個關鍵的瓶頸，那就是光刻機科技。 在asml不願向中國提供浸沒式光刻機和EUV光刻機在國內無能力的情況下7nm在以下幾個方面都有突破。 然而，近年來，國內光刻機技術突破的訊息屢見不鮮，據說28nm是國產的光刻機它也接近完成。 然後是國內的光刻機核心零部件的國產化進展到什麼程度？我們知道光刻機該過程使用特定波長的光照射到光刻 膠開啟，然後通過光刻 膠將圖案轉移到晶圓的過程。 光刻機三個核心部件包括光源系統、物鏡系統和雙工作台。此外，還有其他支援元件，例如能量探測器和遮光罩，但本文將重點介紹這三個核心元件的國產化進展。
首先，光源系統是：光刻機其中包括 ARF 和 Immersion ARFI光刻機波長為 193 nm 的光源也稱為深紫外光。 目前上海微電子90nm光刻機已使用193nm的光源，具有浸沒式光刻機同樣可以支援多達7nm的過程。 光源系統的國產化在EUV中比較發達光刻機在國家出現之前，它已經能夠獨立發展光刻機所需的光源系統。
接下來是目標系統，它是光刻機最具挑戰性的部分，對吧光學級別要求非常高。 目前asml所使用的物鏡系統由世界上最好的物鏡系統製造光學公司： Carl蔡司提供，卡爾蔡司是的asml唯一物鏡供應商，提供透鏡、反射鏡、照明器、集熱器等按鍵光學元件。 目前國內光刻機使用的物鏡系統仍然停留在90nm工藝節點，但據說長春光電研究所的物鏡系統已經達到了32nm，但目前尚不清楚是否已經應用光刻機以上。 可以看出，國內企業在物鏡系統方面具有asml差距還很大，這也是制約國內生產光刻機突破的重要因素之一。
最後，還有雙打工作台，涉及機械、自動化和精密儀器方面的能力。 asml之光刻機它可以在高速運動下保持2nm的精度，國內早前有報道稱，清華大學和華卓晶科聯合研發光刻機雙工作台精度為10nm，雖然沒有那麼好asml2nm，但已經相當可觀了。 此外，關於浸沒式光刻機這涉及到潤濕液的控制系統，也考驗著感測器和儀器控制的能力。 目前，國內尚未有報道浸沒式光刻機突破的訊息，但據稱是國內企業奇爾機電浸沒控制系統取得了重大突破，但具體進展未知。
綜上所述，國內光刻機發展沒有想象的那麼難，國內企業正在逐步突圍。 雖然在物鏡系統方面具有asml與光源系統和雙光源相比仍有差距工作台國產化的進步還是值得肯定的。 隨著國內企業的不斷努力和突破，我們相信國產化浸沒式光刻機它離我們不遠。
一般來說，國內光刻機行業的發展仍然面臨一定的挑戰，但通過不斷的創新和進步，我們相信國產化光刻機肯定會有一席之地。 正如托馬斯·愛迪生曾經說過的那樣，“天才是百分之一的勤奮和百分之九十九的汗水。 “只有不斷努力和突破，才能實現國產化光刻機產業的騰飛，為我國晶元產業的發展做出了更大的貢獻。 讓我們期待國內企業的出現光刻機在技術上有更大的突破和創新！