如果不吹還是黑，光刻機就無法突破28nm拯救中國半導體，行業困境亟待解決
根據命名法，只有EUV光刻機和DUV光刻機，其中DUV分為ARFI浸沒式光刻機、ARF乾式光刻機、KRF光刻機、I線光刻機、G線光刻機。
這些光刻技術對應不同的工藝，目前還沒有90nm、28nm、7nm等光刻技術。
但前段時間，總有訊息說國產28nm光刻機要來了，所以搞不清它屬於哪一種28nm光刻機我想一定是浸沒式光刻機之一，為什麼是28奈米？這個28nm是指28nm的最高工藝，還是指解像度？
如果你指的是最高的工藝，那麼浸沒式光刻機出來的 28 nm 不應該是最高的 7 nm，而平均 ARF 乾法是最高的整體 65 nm？
所以，如果你指的是解像度，如下圖所示，ASML的NXT：1980DI浸沒式光刻的解像度為38奈米，但可以生產7奈米的晶元，那麼這個28奈米的解像度不是更先進嗎？
所以我有點困惑，對這種28nm光刻技術感到困惑，到底是怎麼回事。
另外值得一提的是，很多人總覺得有了這台光刻機，國產晶元就省了，也就不再怕被扼殺了，我覺得這也是值得商榷的，在我看來，光是光刻機的進步並不能挽救中國的半導體。
製造晶元需要上百臺半導體裝置，而光刻機只是生產線上的主要裝置之一，其他裝置的國產替代同樣重要。
這是一張網路圖，顯示了目前國際先進水平與國內先進水平之間幾個關鍵裝備的差距。
我們一眼就知道，目前國內的關鍵裝置差不多是14奈米，光刻機是90奈米，非公開的就是28奈米，中間還有很短的距離。
除了這些器件之外，在晶元製造過程中還需要數十或數百種材料，例如光刻膠、靶材、特殊氣體等，其中一些只能在日本製造，例如EUV光刻膠。
你看，這不是光刻工藝嗎？它是許多與光刻膠材料同樣重要的東西的組合，而光刻膠材料只是其中的一部分。
說實話，目前美帝國主義如果只靠自己的努力，是拿不出14奈米晶元的，必須整合全球**鏈。
不僅要投資半導體裝置和材料企業，更要想辦法讓下游企業有動力使用國產晶圓，讓晶圓企業有動力購買國產裝置和材料。