據外媒Tomshardware當地時間27**報道，台積電近日在2024年IEEE國際電子元器件大會（IEDM）上發布了進軍1nm製程的產品規劃藍圖。
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根據規劃，台積電將推動3D封裝和單晶元封裝技術路徑並行發展。 預計2024年，台積電將完成N2和N2P節點，使3D封裝的晶元電晶體數量超過5000億個，傳統封裝技術中的晶元電晶體數量超過1000億個。
然後，台積電計畫在 2027 年達到 A14 節點，在 2030 年達到 A10 節點，這是一款 1nm 工藝晶元。 屆時，採用台積電3D封裝技術的晶元電晶體數量將超過1萬億個，而採用傳統封裝技術的晶元電晶體數量將超過2000億個。
相比之下，GH100在4nm工藝和傳統晶元封裝路徑上只有800億個電晶體。
然而，值得注意的是，隨著電晶體密度的增加越來越接近其物理極限，台積電最近的工藝加速步伐遇到了重大障礙。
2024年6月27日，台積電在其年度股東大會上宣布，其最新3nm製程晶元的良率已達到90%。 然而，根據一些未經證實的資訊，台積電3nm工藝晶元的良率實際上只有50-55%，遠低於其官方資料。
同期，蘋果與台積電簽署的對賭協議也反映出台積電最新製程晶元的良率低於預期。 根據對賭協議，台積電的3nm工藝晶元產能將在明年專用於蘋果，但如果生產的晶元中存在有缺陷的廢晶元，蘋果將不再按照行業慣例為廢舊晶元付費。 這加劇了外界對台積電最新製程晶元良率的懷疑。
此外，台積電盈利能力的下滑也引發了外界對其未來發展的關注。 據《華爾街》中文版**報道，台積電今年第一季度淨利潤同比增長2%，原因是智慧型手機和高速計算需求減弱1%，但第二季度和第三季度的淨利潤分別同比下降23%和25%，收入和利潤率受到影響。
在台積電發展放緩的同時，其在半導體代工領域的競爭對手，如三星等公司，並沒有放棄在先進製程領域追趕台積電。 今年 6 月，三星晶圓代工公布了其最新的工藝技術發展路線圖，計畫在 2025 年推出 SF2 工藝。SF1 採用 4nm 工藝4道工序。 一旦計畫好，三星就有可能在與台積電相似的時間點實現與台積電相似的工藝水平。
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