2nm光刻機量產英特爾搶購了 6 臺
晶元製造離不開光刻機，光刻機就像一台超精密印表機，可以在矽片上“列印”積體電路的圖案。 隨著晶元工藝的縮小，對光刻機解像度的要求也越來越高。 近日，全球最大的光刻機製造商ASML向英特爾交付了全球首颱2nm工藝光刻機。 這種光刻機在英文中稱為高數值孔徑極紫外光刻機，或高數值孔徑EUV。
這款2nm光刻機與上一代5nm光刻機相比，主要改進是增加了數值孔徑。 根據光學原理，增加數值孔徑可以提高光學系統的光學解像度。 通過多年的技術積累，ASML終於將2nm光刻機的數值孔徑從033 比 055、根據光學公式，理論解像度已從13 nm提高到8 nm。 這對於 2nm 甚至 1nm 晶元工藝來說已經足夠了。
明年，ASML計畫量產10臺2nm光刻機。 其中，英特爾搶購了6臺，相當於量產機總數的60%。 此前，台積電已經搶購了一半的5nm光刻機，而這一次輪到英特爾“獨霸”了。 英特爾**每台2nm光刻機高達3億美元，6臺成本超過18億美元，如果算上後續的安裝、除錯和維護成本，估計將超過20億美元。 對於英特爾來說，鉅額投資是值得的，因為它可以重新奪回在半導體製造領域的領先地位，這已被台積電和三星超越。
英特爾正在努力重新奪回領先優勢台積電很難在美國建廠
30 多年來，英特爾一直是半導體製造領域的全球領導者。 但近年來，台積電和三星的崛起，讓英特爾失去了領先地位。 2024年，三星首次超越英特爾，成為全球半導體銷量第一。 2024年，台積電的7nm工藝也擊敗了英特爾的14nm工藝，這對英特爾來說是乙個沉重的打擊。
為了重新奪回半導體製造的頭把交椅，英特爾決心在2nm工藝的開發上投入巨資。 這一次，6臺2nm光刻機被ASML搶購一空，這是英特爾重新奪回領先地位的決心的具體體現。 英特爾希望依靠這批全球最先進的光刻裝置，在2nm晶元的量產上擊敗台積電和三星。
與英特爾爭奪光刻機的決心形成鮮明對比的是，台積電在美國建廠時遇到了困難。 2020 年，台積電宣布投資 120 億美元，在美國亞利桑那州建造一座 5nm 工藝晶圓廠。 後來，美國通過了《晶元法案》，台積電將投資增加到400億美元，準備再建乙個3nm製程工廠。
然而，台積電在美國建廠緩慢，遇到了嚴重的基礎設施問題和人員管理問題。 更致命的是，台積電只獲得了53億美元的補貼，遠低於英特爾等美國公司。 裝置和資金的匱乏，使得台積電難以在美國建廠。 這與英特爾全力以赴的態度形成鮮明對比。
三星爭先恐後地搶購裝置力爭五年內超越台積電
英特爾並不是唯一一家想要重新奪回頭把交椅的公司，三星也曾公開表示要在未來5年內超越台積電。 三星一直是全球最大的儲存晶元製造商，但在邏輯晶元領域一直落後於台積電。 現在三星看到了機會，準備利用台積電在美國建廠失敗的機會，全力追趕。
三星宣布了一項鉅額投資計畫，在晶元製造、儲存和儲存領域的總投資高達171萬億韓元，折合人民幣約合人民幣9422億元。 這是乙個天文數字的投資。 資本投入是硬體的基礎，三星也在軟實力上下功夫，其2nm製程力求與台積電同步。
當台積電開始量產2nm晶元時，三星也計畫完成2nm量產的準備工作，兩家公司將在同一起點展開激烈競爭。 為此，三星也在積極爭取ASML的2nm光刻裝置。 三星也通過降價來吸引客戶，並已經贏得了台積電的一些訂單。
相比之下，台積電在美國建廠緩慢，裝置和資金都不足。 三星的本土產能建設顯然更具優勢。 未來，我們將拭目以待，看看三星是否能夠如願以償地在2nm晶元上擊敗台積電。 然而，可以看出，台積電的領先地位正面臨著巨大的壓力和挑戰。 100 幫助計畫