ASML向英特爾交付第一台High NA光刻機，可能耗資4億美元

2024年初，ASML宣布與英特爾的長期合作進入新階段，雙方將攜手推進半導體光刻前沿技術。 英特爾還向ASML訂購了業界首款Twinscan EXE：5200系統，這是一款大批量極紫外（EUV）生產系統，具有高數值孔徑（High-NA），每小時可生產200多片晶圓，為兩家公司之間的長期高數值孔徑EUV技術合作奠定了基礎。

據TomsHardware稱，ASML已向英特爾交付了業界首颱High-NA EUV光刻機。 從本週開始，新裝置將從荷蘭費爾德霍芬運往英特爾位於美國奧勒岡州希爾斯伯勒的半導體技術研發設施，並在未來幾個月內安裝。 High-NA EUV光刻機的體積非常大，需要使用13個貨櫃和250個板條箱進行運輸。 據了解，每台High-NA EUV光刻機的成本約為3億至4億美元。 2018 年，英特爾從 ASML 購買了 Twinscan Exe：5000 系統，將其用作測試機器，以更好地了解 High-NA EUV 裝置的使用並獲得寶貴的經驗。 英特爾 18A 工藝計畫於 2025 年量產，英特爾將推出 High-NA EUV 光刻技術，該技術將領先於競爭對手台積電和三星。 High-NA EUV光刻機將提供055數值孔徑，與之前配備的0相同與33 NA透鏡的EUV系統相比，精度將得到提高，並且可以實現更高解像度的圖形化，從而實現更小的電晶體特性。

由於下一代光刻裝置與傳統產品之間存在許多差異，並且需要對基礎設施進行大量修改，因此早期部署可能會給英特爾帶來競爭優勢。 一方面有更多的時間進行技術調整，另一方面有更多的時間進行基礎設施改造，以更好地適應High-NA EUV光刻機的使用。