氬離子切割是一種樣品表面製備技術，它使用寬離子束 （1 mm） 切割樣品以獲得寬而精確的電子顯微鏡分析區域。
機械研磨和拋光與離子束拋光。
有限的硬質和固體樣品適用於所有型別的樣品。
o 金屬材料的硬度 o 軟硬金屬材料均可。
o二氧化矽和玻璃 o同一樣品含有硬質和軟質的不同材料。
o 半導體（鋁寬高介電 o 多孔材料。
o 礦物（幹） o 溼或油性樣品：油頁岩。
o 有機物。 操作人員需要定期改變拋光液的粒度，操作人員在使用時不需要盯著它看。
焊料介面機械拋光結果 焊料介面離子束加工結果。
機械研磨和拋光與離子束拋光。
AL 6061 合金電解拋光 VS Pecs II
電解拋光：
pecs ii,step 1: 60 min, 5 kv, 5°,step 2: 8 h, 1 kv, 3°
平面清潔功能。
樣品表面的清潔可以通過使用平面離子研磨來實現。
技術優勢
1.兩把聚焦離子槍，離子槍沒有消耗品。
2.多功能：離子束平面+截面拋光+高精度鍍膜。
3.拋光塗層在同一真空系統中，拋光完成後可直接塗裝。
4.拋光面積：10mm以上。
5.全自動觸控螢幕控制，配置模式操作，樣品製備重複性高。
6.標配液氮冷卻站，以消除熱效應對樣品造成的損壞。
7.真空輸送系統可作為選件提供。
PECS II蝕刻拋光階段。
新的觸控螢幕控制系統。
觸控螢幕選單的螢幕截圖。
塗層選項頁面。
目標選擇：可以同時放置兩個目標。
拋光功能頁面。
液氮冷卻台及溫度控制系統。
液氮冷卻臺。 平面拋光和裝載系統。
平整拋光和載入操作。
橫截面拋光裝載機。
平面蝕刻和拋光的示意圖 向上檢視。
截面蝕刻和拋光示意圖。
3d ebsd with pecsii
140x120x4 microns3
3d ebsd with pecsii
拋光區域的大小。
離子濺射。 離子束鍍膜。
cr coating（ibc vs magnetron）
ion beam cr coating magnetron cr coating
ion beam coating
xtem of multilayers of cr/c on a si substrate produced by ibc
htem image of a cross section through different coating layers (ibc) on si substrate.