產品概述。 JKZC-DCHH系列高低溫真空探針臺是我公司自主研發的用於在極端環境下將電訊號載入到樣品上的裝置。 可實現器件和材料表徵的IV CV表徵測試、射頻測試、光電測試等。 使用液氮或壓縮機製冷可在輻射遮蔽層內創造穩定的測試環境。 廣泛應用於特種材料、半導體器件等研究方向。
極低溫測試:因為當晶圓在低溫大氣環境中進行測試時,空氣中的水蒸氣會凝結在晶圓上,從而導致洩漏過多或探頭無法接觸電極,導致測試失敗。 為避免這種情況,有必要在測試前將真空室中的水蒸氣抽出,並在整個測試過程中保持幫浦的執行。
高溫非氧化試驗:當晶圓加熱到300°C、400°C、500°C甚至更高的溫度時,氧化現象會越來越明顯,溫度越高,氧化越嚴重。 過度氧化會導致晶圓的電氣誤差和物理機械變形。 這需要在測試之前將氧氣從真空室中抽出,並在整個測試過程中保持幫浦的執行。
技術特點: 輻射遮蔽和散熱片設計;
冷卻速度快,常溫降至77k<25mins,大大提高了測試效率
液氮自動控制系統,液氮流量模組和溫度控制模組連線在一起,控制溫度。
詳細引數。
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