當DDR採用菊花鏈拓撲結構時，由於訊號傳輸線較長，通常需要在DDR的末端增加乙個端子匹配電阻，並且有很多端接方式，但都是為了解決訊號反射的問題，通常為了消除訊號的反射，可以在訊號的源頭或端子處解決， 消除源頭反射的方法是使用電阻串聯方式，消除端子處反射的方法是使用電阻併聯（端接有很多種），今天，讓我們看一下使用菊花鏈拓撲時，端部和非匹配電阻之間的訊號質量差異有多大。
訊號端接匹配電阻。
這一次，我們將從這塊記憶體模組PCB板中提取位址線拓撲，用SIGXPlorer軟體觀察新增匹配電阻和不新增匹配電阻時訊號的傳輸質量，本例為雙通道DDR3 1對8前後菊花鏈拓撲結構，我們整理後的拓撲結構由軟體提取，如下圖所示
訊號從驅動端U21發射，通過它的DDR粒子依次是U14和U5 U6和U15 U7和U16 U8和U17，最後連線到39OHM端子匹配電阻RN106，我們提取其中一條位址線A3，激勵訊號為533MHz，並觀察其眼圖的結果。
根據菊花鏈的訊號流向，我們可以區分出最左邊的黃色訊號是訊號的驅動端，右邊的訊號是8個DDR3粒子的訊號。
增加終端電阻後，最靠近驅動端的兩個DDR粒子和靠近匹配電阻的兩個DDR粒子的訊號質量會進行比較，靠近匹配電阻的兩個DDR粒子的訊號質量較差，過衝和下衝更嚴重。 但是，訊號質量是可以接受的，不存在低於VIH和VIL的情況。
上圖顯示了沒有終端電阻的訊號眼圖結果，我們可以看到訊號的眼圖寬度和眼圖高度都很窄，訊號的vih和vil在越線後保持了很短的時間，訊號質量較差，我們觀察驅動端附近兩個DDR粒子的眼圖結果和眼圖結果再說到最後兩個DDR粒子，我們會發現，當不加終端電阻時，眼圖結果相反，驅動端附近的兩個DDR粒子的質量很差，眼寬和眼高都很窄，但是最遠端的兩個DDR粒子的質量會好很多， 雖然也有明顯的上衝和下衝，但眼寬和眼高都比較清晰。
我們可以分析上面的**結果，使用菊花鏈拓撲時，需要新增乙個終端電阻，端接電阻有非常明顯的改善效果，但是，需要注意的是，終端電阻必須與傳輸線的阻抗相匹配，才能達到最佳效果。
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