永久豁免！美國調整晶元限價策略，外媒暗中打壓開始

自從華為率先進入全球5G以來，美國近年來不斷加大晶元限制力度，10年前出台了更嚴格的出口管制新規，隨後又與日本、荷蘭達成三方協議，共同實施限制。

前段時間，荷蘭和日本相繼宣布實施出口管制，當人們以為限制會繼續加大時，美國的態度突然轉變，會延長豁免期，甚至可能是永久豁免，但外媒卻認為這是變相打壓的開始！

本來，美國主要限制了我們對邏輯晶元的開發，限制了台積電和三星被列入中國高階晶元代工實體名單，比如華為海思設計的麒麟晶元，本來可以開始與蘋果和高通競爭。

另一方面，限制先進晶圓製造裝置和技術的出口，阻礙了中芯國際等中國工廠高階晶圓製造的發展。例如，ASML被限制出貨高階光刻機，首先是EUV光刻機，後來是浸沒式DUV光刻機。

不過，在美光的遊說下，美國已將儲存晶元列入限制名單，新規中也包含了相關限制性條款。

美光是美國儲存晶元巨頭，與南韓的三星、SK海力士並稱為全球儲存三巨頭，當然也是競爭對手，而三星和SK海力士的市場份額比美光更大，在大陸也有儲存晶圓工廠。

隨著近年來中國儲能的興起，長江儲能、長鑫儲能等技術不斷完善。於是美光開始耍花招，遊說美國阻撓中國儲存產業的發展，於是美國開始限制儲存晶元。

然而，限制向非洲大陸運送先進裝置的新規定不僅會影響中國公司，還會影響南韓公司三星和SK海力士。

除了長江儲存和長信儲存，三星和SK海力士也在加大在中國大陸的工廠擴張力度。然而，三星和SK海力士很快獲得了一年的豁免，但該工廠的擴建將需要數年時間。

三星和SK海力士一直在為一年後該做什麼而苦苦掙扎，因此他們一直在積極溝通推遲。

前段時間有報道稱，美國打算延長豁免期。據南韓**稱，三星和SK海力士已獲得美方VEU授權，每個專案都不需要申請出口許可證，相當於美方"無限期棄權"！

三星和SK海力士急於延長豁免期，因為他們在中國大陸的工廠產能佔很大比例，例如三星習工廠的NAND產能佔整個公司的40%，SK海力士無錫工廠的DRAM產能佔總產量的近一半。

他們的擴張需要提前計畫購買生產裝置，以便美國半導體裝置製造商**可以提前安排生產，這只有在豁免期的延長得到確認後才能計畫。與此同時，南韓矽片企業因美國對矽片的限制而損失慘重。

因此，南韓**和相關公司一直在與美國主管當局溝通，要求他們重新考慮下限。

前段時間，美國透露，美國商務部副部長表示，拜登打算延長豁免期，允許三星、SK海力士和台積電繼續在美國大陸運營。訊息公布後，三星和SK海力士都松了一口氣。

對此，有分析認為，美國已經開始放寬限制。不過，據國外援引業內專家分析，美國其實正在改變其晶元限制策略，因為它發現，未來幾年的打壓並沒有阻止中國晶元的進步。

結果，美國在某些政黨方面開始試圖擺脫所有鎮壓。對於外國**：變相鎮壓的開始！

就儲存晶元而言，國產儲存晶元的發展速度非常快，長江NAND儲存技術已達到世界領先水平，232層NAND快閃記憶體率先實現量產應用，領先於三星、SK海力士、美光等。

儘管有這些限制，但該國的主要**繼續推進及時增資和更多國產裝置的替代。

因此，美國放棄了對三星和SK海力士的限制，允許它們壓制中國公司的儲存發展。此外，美光也開始行動，宣布投資43億元擴建習封測工廠，以示對華好，爭取更多市場份額。

就邏輯積體電路而言，我們已經意識到，專注於開發成熟的28nm工藝將使我們在這個水平上具有優勢。因此，該委員會還放寬了對台積電的限制，以便它可以在中國大陸的工廠擴大成熟工藝，以獲得成熟工藝的市場份額。

因此，美國此舉不是放鬆限制，否則三星、SK海力士和台積電的豁免期將如何延長，而對中國企業的限制卻沒有改變。可以看出，美國對平板電腦目標的限制並沒有改變。

對此，我們必須保持警惕，堅持打造自主的國產晶元產業鏈，才能全面贏得未來！