英特爾在 IEDM 2023 上展示半導體技術突破 摩爾定律再次推進！

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在 2023 年 IEEE 國際電子裝置會議 （IEDM 2023） 上，英特爾再次展示了其在半導體技術領域的領導地位。 在大會上，英特爾展示了多項新的突破性技術，包括3D堆疊CMOS電晶體、矽基氮化鎵晶圓整合和過渡金屬硫族化合物（**電晶體）。 這些技術不僅預示著摩爾定律的進步，也展示了英特爾在半導體行業的領導地位。

首先，英特爾展示了其3D堆疊CMOS電晶體技術。 該技術使用垂直堆疊的互補場效應電晶體 （CFETS），其柵間距可縮小至 60nm。 這種創新設計結合了 Powervia 和直接背面接觸技術，不僅提高了面積效率，還提高了效能優勢。 該技術的成功演示突顯了英特爾在全環繞柵極電晶體 （GAA FETS） 領域的領導地位。

其次，英特爾還展示了在同一片300mm晶圓上整合矽電晶體和氮化鎵電晶體的技術。 這項創新為矽基氮化鎵晶圓的製造開闢了一條可行的道路。 此次演示的成功標誌著矽和氮化鎵整合的突破。 此外，英特爾還展示了一款名為“DRGAN”的高效能LSI解決方案。

最後，英特爾還展示了一種新的過渡金屬硫族化物（**電晶體。 該電晶體允許電晶體的物理柵極長度減少到小於 10 奈米。 除了這種新的 2D 通道材料外，英特爾還展示了兩項率先實現的相關技術：GAA 2D 過渡金屬硫族化物 PMOS 電晶體和在 300mm 晶圓上製造的 2D 電晶體。 這些技術的展示，標誌著英特爾在半導體技術領域的創新和前瞻性。

總體而言，英特爾在 IEDM 2023 上的演講再次證明了其在半導體技術領域的領導地位和創新。 這些新的技術突破不僅將推動摩爾定律的持續發展，也將為未來的半導體產業開闢新的可能性。 隨著這些技術的進一步發展和應用，我們期待未來半導體行業出現更多激進的創新。