MPCVD方法在製備金剛石薄膜方面的優越性使其在眾多CVD方法中脫穎而出

目前，沉積金剛石薄膜的方法有很多種，為什麼MPCVD方法製備金剛石薄膜的方法可以在眾多CVD方法中脫穎而出，Watt Sein微波源為大家揭秘：

金剛石因其寬禁帶和高擊穿電場，以及高載流子遷移率和高導熱性而被稱為半導體。 然而，在企業使用過程中，需要大量大尺寸、高質量的單晶金剛石，成為制約其應用的主要瓶頸。 因此，在不斷的嘗試和努力中，MPCVD裝置因其微波能量無汙染、氣體原料相對純淨、無催化劑和雜質摻入等特點，成為眾多製備方法中最有前途的技術之一。 MPCVD裝置主要是無電極放電，因此等離子體純淨，其微波放電面積集中而不膨脹，因此可以活化原子氫等各種原子基團的產生，並且產生的離子動能大，因此不會蝕刻生成的金剛石，對金剛石起到保護作用。

由於MPCVD 裝置微波功率調節連續平緩，使沉積溫度能夠連續穩定地變化，使裝置克服了直流電弧法中電弧的著火和熄滅，對基體和金剛石膜的巨大熱衝擊導致金剛石膜在DCPLASMA-JetcVDD中容易從基板上脫落， 使金剛石膜不易脫落。 與熱線HFCVD相比，MPCVD裝置避免了熱線法中由於熱線蒸發而對金剛石膜的汙染，以及熱線對強腐蝕性氣體非常敏感的缺點，例如一些高濃度的氧氣和鹵素氣體，因此在工藝中可以使用的反應氣體種類比HFCVD中的反應氣體種類要多得多， 這會造成一些不必要的損失。

與氧-乙炔燃燒火焰法相比，通過對MPCVD沉積反應室結構的結構調整，可以在沉積腔內產生大面積、穩定的等離子體球，有利於金剛石膜大面積均勻沉積MPCVD 裝置微波等離子體法製備金剛石薄膜的優越性在所有裝置中都非常突出。