英特爾中國晶元技術落後10年

Mondo 科技 更新 2024-02-18

英特爾中國晶元技術落後10年

2024年達沃斯論壇上,英特爾公司CEO基辛格表示,由於美國和荷蘭的聯合制裁,中國與全球主要晶元生產商之間存在10年的技術差距,未來,美國公司將生產全球50%的晶元。

基辛格說,由於晶元產業政策,晶元製造業主要集中在亞洲,美國通過《晶元與科學法案》,試圖扭轉這種被動局面,增強國內晶元製造業的實力。

該法案將提供527億元人民幣的補貼,以吸引多個國家的晶元產業遷往美國,同時限制受補貼的晶元公司在中國的投資。 其中,392億元將用於擴大晶元產能。

根據美國**的乙份報告,英特爾、美光、德州儀器、三星和台積電分別佔這五家公司的 10% 和 10%,共計 90%,其餘 10% 由其他公司瓜分。

在這種情況下,英特爾將獲得約168億元,美光111億元,德州儀器74億元,三星69億元,台積電53億元。

美國晶元法似乎有利於美國公司,三星和台積電只是它的養子。

2023年,美國、日本、荷蘭等國家對半導體裝置出台了出口限制,在原本受限制的EUV光刻機的基礎上,增加了一些深紫外光刻穿透器。

簡而言之,這意味著 14 奈米以下的邏輯晶元、16 奈米 DRAM 裝置和 128 層 NAND 快閃記憶體裝置都需要出口許可證。

由於裝置限制,中國只能生產14nm和7nm晶元。 台積電、三星、英特爾等公司已經開始研發3nm、2nm甚至更高精度的晶元,台積電的2nm晶元即使上市也要到2025年才能上市。

中國的晶元公司表現如何? 他們真的像基辛格所說的那樣在技術上落後了十年嗎?

中國的晶元技術落後了十年嗎?

晶元技術涵蓋設計、製造、封裝、EDA工具、半導體器件、半導體材料等多個領域。

如果我們將中文代幣與立方體進行比較,並將所有鏈結放入立方體中,結果將如下所示:

這個原則叫做:"木桶的原理",即乙個桶(而不是桌子)可以容納的水量。

例如,華為可能設計了一款使用3nm工藝的晶元,但它搭載的晶元仍然是採用台積電5nm工藝的麒麟9000。

國產麒麟9000採用7nm工藝,仍為進口。

造成這種尷尬局面的原因在於半導體裝置,尤其是光刻部分。

晶元生產需要數十種裝置,其中最重要的九種是:光刻、蝕刻、離子注入、化學氣相沉積、物理氣相沉積、機械拋光、金屬蒸發、清洗和測試。

在光刻技術方面,上海微電子有限公司生產的90奈米光刻機經過多次光刻,已經能夠生產出55奈米的晶元,與3奈米相差甚遠。

在蝕刻機方面,國產裝置更具優勢,例如在微半導體方面,5nm工藝蝕刻機已成功進入台積電產業鏈。

該公司目前正在開發一種3nm工藝。

然而,儲存晶元製造商更喜歡使用 Panarin Group 的裝置,因為它是一種最先進的雕刻方法,可以進行更多的雕刻。

在離子注入裝置方面,CEC已完成28nm工藝的研發,具備生產28nm邏輯元件、儲存器件、功率器件、感測器等的能力。

此外,在CVD和PVD領域,北方華創、拓京、上海盛美等企業也取得了長足的進步,整體替代率為13%。

至於以華海清科為代表的機械拋光機,其整體替代率在20%左右。

在清洗裝置方面,上海盛美全國代表以純技術為基礎,整體更換率在50%左右。

在測試裝置方面,夏普科技、精密電子、餘宇都在其中,整體更換率在9%左右。

這意味著九個主要組的位置已經確定,但精度參差不齊,光刻仍處於最糟糕的階段。

光刻被譽為工業之王,是晶元生產裝置的核心,利用率高達24%。 然而,荷蘭公司ASML目前在光刻市場上擁有壟斷地位。

ASML在EUV高數值孔徑和EUV高階光刻技術方面擁有絕對壟斷地位。

中國領先的深紫外光刻機,市場占有率在95%左右。

我國的光刻技術何時能達到ASML的標準? 這在短期內很難。

在EUV光刻機的近100,000個零件,3,000個精密軸承和2,000根電纜中,32%在荷蘭本地,27%在北美,27%在亞洲。 歐洲**約佔14%。

中國大陸**商家的比例很小,提供的裝置也微不足道。

在這種情況下,我們無法阻止ASML技術和裝置的現代化,而只能讓國內零部件製造商快速提高技術水平。

到目前為止,28nm晶元的主要部件已經全部更換。

該專案將由北京科益巨集源公司開發,利用準分子雷射技術,通過非線性晶體獲得基頻為579nm的光,並實現289nm倍頻輸出為 5 nm,進而產生 193 nm 的光源。

雙工作台由清華大學與華卓精密科技合作打造,能夠進行28nm光刻。

採用浙江啟爾機械生產的浸沒式光刻系統,溫度穩定性誤差可達0001與美國的ASML、日本的尼康等公司一樣,已經達到了世界第二先進的水平,可以滿足28nm工藝的要求。

光學鏡頭:由中科院長春光學機械研究所生產,技術已經達到28奈米,但與德國蔡司鏡頭相比仍有較大差距。

一旦獲得基本元件,28nm光刻技術的國產化指日可待。

然而,ASML的第一台浸沒式光刻機於2004年完成。

十年來,ASML一直在引入EUV光刻技術。

光刻技術存在十多年的差距,事實證明英特爾首席執行官基辛格沒有錯。

但是,中國在這十年中利用其最大的弱點來對抗世界上最先進的技術似乎是不公平的,但這就是世界的運作方式。

未來50%的晶元將在美國生產的概念是什麼?

基辛格認為未來全球50%的晶圓將由美國工廠生產的可能性有多大?

由於《晶元和科學法案》,台積電、三星、英特爾和美光等公司增加了在美國的產能,這要歸功於《晶元和科學法案》撥款的 527 億美元。

其中最有名的是台積電,它斥資400億元在美國亞利桑那州建設了兩家晶元工廠,分別是5nm和3nm。

最初,該專案不應在 2024 年之前投入使用,但可能要到 2025 年才能投入使用。

造成這種情況的原因有很多,主要有:1基礎設施積壓,以滿足短期生產需求; 2.美國缺乏熟練勞動力,必須從其他地方招募,並受到美國工會的阻礙; 3.美國的工人太難管理了; 4.缺乏**補貼。

台積電是過去的教訓,三星想在美國建廠,太難了,別說英特爾和美光了,就算是國企,也不可能這麼順利。 在技術和裝置上是可行的,但在實際操作上存在許多困難。

我們的晶元、裝置和國內人才都是世界上最好的,所以補貼不是問題。 唯一的問題是半導體裝置短缺。

幸運的是,該國的晶元公司從去年到去年儲備了足夠的半導體裝置。

分析師**,到2023年中國晶元產能將達到760萬片/月,2024年將新增18個專案,晶元產能將達到每月860萬片,未來五年將翻一番,達到每月1500萬片。

五年內,28nm光刻機可以在全國範圍內生產,技術可以更上一層樓,當國家7nm工藝完成時,晶圓代工廠的市場份額將增加。

美國必須改變職業道德,將晶元生產轉移到美國,以便所有技術工人都'湊合著用'。

美國人可以每天工作 996 小時,週末兩班倒嗎? 答案是否定的。

因此,英特爾打算打造人工智慧系統代工廠來指導半導體行業未來的發展方向,但美國工會的力量不容小覷,解雇美國工人勢必會引起強烈反響。

總之,中國晶元技術的落後是不爭的事實,我們不得不接受,但沒關係,重要的是中國晶元在未來的某一天會成為世界不可或缺的一部分。

至於世界上50%的薯片都是在美國生產的,這是乙個笑話。 習慣於喝咖啡和旅行的美國工人寧願在街上罷工,也不願在工廠加班。

我是技術鑄幣廠,謝謝,我喜歡它!

相關問題答案

    英特爾中國晶元技術落後10年,未來50款晶元仍將在美國製造

    前途中國晶元行業發展面臨的主要挑戰之一是與世界頂級晶圓廠的技術差距。根據英特爾首席執行官亨利 基辛格在年達沃斯論壇上表示,中國與世界頂級晶圓廠之間的技術差距為年。他認為,由於晶元產業政策原因,晶元製造業主要集中在亞洲國家,為了公升級本地製造業晶元製造實力雄厚,美國推出了 晶元以及 科學法案 該法案計...

    英特爾CEO表示,中國晶元裝置落後10年,最多只能生產7nm晶元

    最近蓋爾 辛格 Gail Singer 在達沃斯世界經濟論壇關於索賠,中國晶元科技落後於世界年,此言引起中國網民強烈不滿。如英特爾基辛格在國際論壇上為他的國家說好話並不少見。我們不應該對商人的言論過於敏感,更不要上網。但是,我們也不能忽視這個問題。基辛格的言論確實指出了這一點中國晶元技術上存在的問題...

    英特爾CEO吐槽中國晶元落後10年,現有裝置生產高達7nm晶元!

    英特爾CEO吐槽中國晶元落後年 現有裝置生產高達nm晶元!前段時間,一些 報道稱,英特爾首席執行官派屈克 格林納 Patrick Greener 在達沃斯世界經濟論壇上批評了中國 核心 之後,它再次受到稱讚 美國核心 讚美 美國核心 他調侃中國晶圓,並表示美國 日本 荷蘭聯合阻撓的nm轉nm工藝,以...

    英特爾CEO警告稱,中國晶元技術與世界的差距可能高達9年

    近日,英特爾CEO警告稱,中國的晶元技術可能落後於世界領先水平近十年。這一訊息引起了廣泛關注,也引發了對我國科技實力的質疑和挑戰。對於中國來說,晶元產業一直是中美技術競爭中的熱門話題,各方都在爭相展示自己的實力和迎頭趕上的決心。然而,在這個全球科技舞台上,英特爾CEO對未來十年的晶元格局表達了極其悲...

    英特爾CEO預測,中國晶元技術將落後10年!

    英特爾CEO 中國晶元技術將落後年!中國晶元技術落後世界多少年?去年上半年,大家都以為中國要推出nm製程,但台積電今年上半年成功推出了nm製程,從nm到nm,間隔四代,也就是需要十年時間。但自去年下半年以來,華為發布了全新的麒麟,其電晶體密度可與高通的nm驍龍處理器和nm工藝相媲美。大家都認為,中國...