長鑫長存旗下的兩大中國儲存晶元巨頭被美國打壓，發展如何？
美國打壓後，中國兩大儲存晶元巨頭長鑫和長存將如何發展？
2023 年將是儲存晶元製造商 15 年來最糟糕的一年。
由於市場疲軟，我們積累了大量的庫存，只有不斷降低售價，才能找到市場，減少訂單數量，而大廠家之間的競爭也非常激烈，所以售價不斷下降，最低甚至下降了50%。
在 2023 年購買 DRAM 和 NAND 快閃記憶體的客戶可能會獲得最美妙的體驗。
而三星、SK海力士、美光的情況更糟，根據這一資料，到2022年，它們的記憶體成本將達到1500億美元。
許多人對全國庫存表示感謝，認為儘管餅乾市場蓬勃發展，但沒有全國庫存的餅乾生產商很難責怪如此困難。
事實上，建造這個建於 2023 年的巨大洞穴有很多原因。
所以現在的問題是：是什麼導致內部儲存器嚴重下滑？ 我們前段時間已經討論過這個問題。
最初，中國有三家公司，一家是以DRAM技術聞名的長江，另一家是專門從事DRAM的福建金華。
然而，金華一直受到美光的制約，發展緩慢，目前只有長江汽車和長江新汽車製造廠取得了進展。
通過Crystal Stack，從64層到128層再到232層，長江儲存在232層工藝上與美光、三星等國際公司不相上下，甚至超越了三星等企業，率先實現了232層3D快閃記憶體的量產。
然而，這個想法很快就被美國挫敗了，美國試圖阻止我們開發 128 層 NAND 快閃記憶體和 128+ 硬體和技術。
現在的長江記憶有232層，很少，大部分都被查封了，大部分是128層，據說長江的記憶已經發展到232層，差不多120層，不知道是真是假，但至少還有新的進展。
在市場和產能方面，YMM目前佔全球份額的5%左右，佔全球產能的6%，但正在增長，預計未來將佔全球產能的15-20%。
以長信為例，其目前生產的DDR5晶元被公認為高階DDR晶元。
不過，在技術方面，三星、SK海力士、三星仍然落後於三星，而長芯此前的21nm和19nm工藝都是14nm。
在此之前，美國已經將中國的DRAM晶元限制在18奈米或更低，同時限制18奈米或以下的裝置和技術。
不過，前段時間，有訊息稱長鑫公司已開始量產185nm工藝儲存器，月生產能力10萬片。
長鑫也已進入二期，預計2024年底完工，具備月產1.4萬顆晶元的產能，約佔全球儲存晶元總量的10%。
雖然我們的DRAM和NAND快閃記憶體受到重創，但製造商一直在積極更新他們的技術和生產力，並逐漸變得更具競爭力。
因此，隨著競爭的加劇和中國廠商的巨大優勢，國內儲存晶元生產商將在2023年之前大幅降價。
他們需要做的是，對於國內儲存晶元廠商來說，要不斷開發新技術，擴大生產規模，提高市場份額，然後**就會下降，客戶才能最大限度地利用。