英特爾首次收到高NA EUV訂單，台積電為何還在等待？

英特爾首次收到高NA EUV訂單，台積電為何還在等待？

就在英特爾宣布收購ASML全球首颱高納秒級EUV光刻機後，這一訊息引起了業界的極大關注。 但與此同時，當下的半導體生產巨頭台積電並沒有採取行動，而是採取了觀望策略。

據多方訊息，台積電計畫於2025年至2027年實現2nm工藝的規模化生產，並將推出14 nm 和 1 nm 工藝，1 nm 工藝要到 2030 年才能量產。 台積電不會在 2 nm 和 1高數值孔徑EUV光刻技術用於4 nm工藝，直到2030年的1 nm節點。

由此可見，台積電對高數值孔徑EUV光刻機的需求不如英特爾強勁。 對於光刻技術的重大創新，台積電採取了併排的態度，這非常令人費解。

首先，英特爾對高數值孔徑 EUV 光刻技術的熱情從何而來。

高數值孔徑極紫外 （EUV） 光刻是一種最先進的工藝，可實現高精度、高質量的 EUV 光刻。 通過增加透鏡的引數，高數值孔徑EUV光刻允許入射光束在更高的方向上通過，從而獲得更高的影象解像度。

通過本專案的研究，有望實現基於高數值孔徑極紫外光刻工藝的高精度、低能耗器件，為未來在相關領域的研究和應用奠定堅實的基礎。 因此，英特爾在這款裝置上取得了領先地位，領先於它，並獲得了這款裝置。

然而，面對如此誘人的技術，台積電為何猶豫不決？ 這樣做的原因是非常必要的。

台積電作為全球領先企業，其一舉一動都是全球關注的焦點。 由於na型極紫外光刻是一項高度創新的技術，台積電將繼續拭目以待，這其中有很多考慮因素。

i.由於成本問題。

NA型EUV光刻是一種非常昂貴的光刻工藝，據說一台新型NA型EUV光刻機的成本高達4億元。 此外，採用這種工藝製造晶元的成本非常高，3nm晶元的價格已經達到2萬元，而下一代晶元的價格將上漲50%左右。

如果需要重複使用更高**的光刻單元，成本會增加。 高昂的成本讓台積電不得不慎重權衡是否採用這項技術。

2.未知的市場狀況。

儘管高n值極紫外光刻技術具有許多優點，但目前市場需求尚不清楚。 此外，隨著銷量的下滑，廠商購買新晶元的意願也有所下降，這也對台積電採用這項新技術產生了一定的影響。

此外，由於各廠商發布EUV高奈米光刻裝置的時機和策略不一致，其市場需求也各不相同。

台積電作為行業領導者，必須緊跟市場發展，及時改變技術引進策略，以滿足市場需求。 由於目前市場行情尚不明朗，台積電為了抓住更多機遇，保持競爭力，選擇了觀望。

iii.評估該技術反覆出現的危險和生產能力的提高。

隨著半導體技術的進步，未來將提出更先進的工藝技術。 台積電必須注意技術迭代的風險，以防止未來因過早採用新技術而在市場上處於劣勢。 作為行業領導者，台積電深知再複製過程帶來的危險。

這就要求台積電在引入新技術時，充分考慮技術迭代帶來的潛在風險，確保台積電持續走在行業前沿。

此外，台積電的營收和利潤主要得益於先進的技術，而台積電去年因嚴重缺乏先進工藝能力，已經停止了部分極紫外光刻設施。 如果台積電繼續採購NA型EUV光刻機，台積電將承擔鉅額的裝置折舊成本。

台積電採取"走著瞧"這也是因為其技術門檻高，工藝技術要求高，對高數值孔徑EUV光刻機的要求高。 整體而言，台積電採取了高數值孔徑極紫外光刻工藝創新"走著瞧"有多種考慮因素。

不過，這也體現了台積電在業內的審慎與決心，也體現了半導體行業在技術創新和市場競爭方面的複雜性和不穩定性。 那麼，您認為台積電為什麼如此急於購買高數值孔徑的EUV光刻機，而不是與英特爾競爭呢？