英特爾收到全球首款高數值孔徑EUV，何必還等？

此前，英特爾宣布收購ASML全球首颱高解像度極紫外光刻機，該機在世界範圍內引起了廣泛關注。然而，與目前的半導體巨頭台積電一樣，該公司仍在等待時機。

根據多份**披露，台積電目前正向2奈米工藝邁進，有望在2025-2027年實現量產，14 nm 和 1 nm 工藝的量產，而 1 nm 工藝要到 2030 年才能量產。台積電不會在 2 nm 和 1高數值孔徑EUV光刻用於4nm工藝，到2030年僅在1nm節點使用。

然而，台積電對高解像度極紫外光刻機的需求遠不如英特爾那麼迫切。有人可能會問，為什麼台積電決定等待這場關鍵的光刻革命開始。

首先，有必要了解英特爾熱衷於引入高數值孔徑極紫外光刻技術。

Hi-NA極紫外光刻技術具有解像度高、線寬窄等優點，是半導體加工領域的前沿技術之一。 Hi-NA極紫外光刻通過增加透鏡引數，使光從多個角度透射，從而提高了圖案的解像度。

通過該項目的實施，有望獲得高效能、低功耗的極紫外光刻晶元，將為未來技術的發展提供強有力的技術支撐。因此，英特爾是第乙個購買該裝置的公司，使其在裝置上領先於競爭對手。

然而，面對如此誘人的技術，台積電為何猶豫不決？這是乙個值得深入研究的問題。

作為半導體行業的領軍企業，台積電非常關注台積電的一舉一動。鑑於高數值孔徑極紫外光刻工藝的創新性，台積電考慮以下因素，決定觀望。

i.成本因素。

高數值孔徑EUV光刻技術是一項非常昂貴的技術，據報道，下一代數值孔徑EUV光刻的成本高達4億美元。此外，採用該技術製造的晶元成本非常高，3nm晶元的單價接近20,000美元，而下一代晶元的**僅為其50%左右。

如果使用昂貴的顯微成像裝置，成本會上公升。因為成本太高，台積電在考慮引進這項技術時一定要慎重考慮。

ii.未知的市場狀況。

雖然高精度極紫外光刻有很多優點，但目前市場需求尚不明確。此外，由於手機銷量下滑，廠商購買晶元的意願降低，台積電決定推出一項新技術。

此外，不同的廠商推出高納秒極紫外光刻技術的時機和策略也不同，市場需求也不同。

作為市場領導者，台積電必須密切關注市場動態，並及時調整其技術推出策略，以應對市場需求。台積電因市場需求仍不確定而選擇觀望，以充分把握市場機遇，確保競爭優勢。

iii.兼顧技術創新和能力提公升的風險。

隨著半導體技術的進步，未來可能會出現更先進的工藝技術。台積電必須考慮技術迭代帶來的風險，避免因過早採用新技術而對未來市場競爭產生不利影響。作為市場領導者，台積電深知技術迭代的風險。

這就要求台積電在引入新技術時，要充分考慮技術迭代帶來的風險，以保證其技術發展軌跡不變。

此外，台積電的主要營收和利潤**是先進工藝技術，但目前先進工藝產能過剩，去年部分UV光刻廠已經關閉。如果台積電為其EUV光刻機購買更多裝置，台積電將僅因裝置折舊費用而望而卻步。

除了以上三點，台積電持觀望態度的原因，可能也是因為技術門檻高，對高數值孔徑EUV工藝技術的高需求。整體來看，台積電對高數值孔徑EUV光刻技術創新持觀望態度，原因有很多。

然而，這反映了台積電作為市場領導者的審慎和審慎，以及半導體行業技術創新和市場競爭的複雜性和不確定性。既然如此，為什麼台積電沒有和英特爾爭奪速度，而是搶購高精度EUV光刻機呢？