摩爾定律停滯不前，中國晶元有充足時間趕上台積電和三星！
眾所周知，就晶元製造技術本身而言，中國大陸與該領域的全球領先者仍有差距。 例如，台積電和三星已經轉向 3nm，並將在 2025 年轉向 2nm。
我們會發生什麼？ 目前的技術是14奈米，相差四代，即大約10年。
華為麒麟9000s的發布意味著它可能已經達到了7nm的水平，但目前尚不清楚。
這就是為什麼美國要通過各種禁令來阻止或拖延先進晶元的發展，讓中國的晶元技術永遠落後於美國的晶元技術，讓美國獲得經濟和政治利益。
例如，EUV光刻機可能不會在中國銷售，甚至兩個最先進的DUV光刻系統也可能在中國銷售。
雖然形勢不容樂觀，但我們並不太擔心，因為目前的晶元製造技術已經發展到接近物理極限的地步，還有足夠的時間超越台積電和三星。
14 nm、7 nm、3 nm。 晶元技術工藝名稱的含義是什麼？ 它實際上表示澆口寬度。 有些人使用"線寬"相反。 線寬"指晶元的最小蝕刻寬度。
然而，自28nm工藝技術以來，晶元行業的線寬幾乎沒有改善。 不可能無限地縮小線寬，因為電路至少需要幾十個甚至幾百個原子寬才能提供足夠的功率。
28nm和更先進晶元的改進在於改進架構和工藝技術，以實現這一目標"能效和效能可與更先進的晶元相媲美"。
比如我用28nm工藝生產28nm晶元，在下一代，線寬沒有變化，理論上還是28nm，但是這一代由於電晶體密度增加了15%，以我改進的架構和工藝技術為代價，我是28nm，還是你說的22nm？ 當然叫22奈米，原理是一樣的，其次是14奈米、10奈米等。
同時，7nm、5nm 和 3nm 實際上並不是指 7nm、5nm 和 3nm 線寬，而是指架構、工藝技術等方面的改進，這使得這些晶元理論上有可能實現 5nm 和 3nm 的能效和效能。
如今，晶元工藝技術不斷進步，不再依賴線寬的縮小，而是從FinFET電晶體演化到更先進的架構，如Gaafet電晶體，再到電晶體的三維堆疊，最後發展到摩爾定律'工藝當量壽命"，翻譯為"生命"。結果。
這類晶元的生產也需要大量的半導體裝置，如光刻和蝕刻裝置，因為線寬不是很小。 在這種情況下，所謂的晶元製造雖然還在進步，但實際上已經停滯不前，需要很長時間才能趕上。
即使沒有先進的EUV光刻技術或先進的DUV光刻技術，也可以通過改進架構和工藝、改進電晶體結構和改變封裝技術來迎頭趕上。