歷經15年科研成果，日本企業正式挑戰ASML光刻機霸主！
經過15年的艱苦努力，這家日本公司正式向ASML發出了光刻邀請！
晶元的開發和製造可以說是世界上最複雜的行業。 目前，最高工藝已經達到3奈米，這意味著需要將數百億個電晶體放入乙個指甲蓋大小的區域，這顯然需要紫外光刻技術才能完成。
紫外光刻機是目前世界上最先進的光刻機之一，但ASML本身只能完成10%的技術，也就是說，90%以上的技術依賴於**鏈，主要依靠20多個國家。
最關鍵的光源技術是從美國進口的，這讓ASML失去了在中高階光刻機市場獨立運營的資格，但在美國崛起之後，ASML已經完全壟斷了這個市場。
然而，好景不長，美國收緊了對測繪的限制，ASML的壟斷地位開始減弱，日本佳能經過15年的艱苦努力，今年正式宣布將推出廉價的奈米壓痕光刻技術，正式挑戰ASML。
據佳能介紹，現有的奈米壓印技術可以實現5奈米半導體節點寬度，並繼續支援2奈米工藝，這項新技術不僅可以降低器件採購成本，還可以進一步降低核心晶元的成本。
目前，ASML生產的EUV光刻機超過1億元，對於普通企業來說是無法承受的，因此能夠生產高階晶元的廠商並不多，並逐漸形成壟斷，而佳能的光刻機很有可能改變這種局面。
面對美國的全面打壓，ASML得以挽救，但晶元監管公升級導致的全球合作體系崩潰，各國紛紛想方設法擺脫它"蘊含精美科技"極紫外光刻技術自然成為公眾批評的物件。
日本的光刻技術本來是他們的鼻祖，可惜美國對他們實施了全面制裁，讓他們得以發展，現在，佳能要超越他們並不容易。
在美日荷三方協議生效後，日本**公布了23臺基礎生產裝置的訊息，直接瞄準了中國市場，佳能突破中國市場的計畫可能難以實現。
不過，這也不是完全不可能，ASML高階DUV光刻機的銷量也一直受到限制，兩家公司處於同一條起跑線上，只有解決了出貨問題，ASML才能勝出。
儘管如此，佳能仍需要進一步確認其技術是否可行。 儘管購買裝置的成本只有EUV光刻的一半，但這仍然是一筆沒有人會欣賞的鉅額開支。
但就中國市場而言，仍需加快自主技術研發，自力更生為王，掌握核心技術突破後，中國光刻機國產化必須繼續發力。