前言
MOS電晶體是一種常見的分立器件，可將輸入電壓的變化轉換為輸出電流的變化。 根據摻雜的基材不同，可分為：N 溝道和 p 溝道兩種型別通過控制柵極的電壓來控制源漏之間的電流，從而實現開關功能。
本期，威比VBSEMI介紹近期推出的一款全新N溝道MOSFET產品，型號為：vbl7601可應用於電機驅動電路、充電器等電路。 本產品用途：高深晶元貼裝工藝顯著提高封裝的熱效能
這種封裝設計非常適合系統尺寸緊湊且需要高功率、高效率轉換的應用。 例如，車載DC-DC、車載空壓機電控、光伏逆變器、電機驅動、UPS電源、開關電源等。
產品特點：
VBSEMI的VBL7601由N溝道製成，具有優異的效能特點和工作原理。 即當柵極施加正向電壓時，形成導電通道，連線源極和漏極，實現導通; 當向柵極施加反向電壓時，不會形成導電路徑，並實現截止。
該VBL7601具有非常低的導通電阻、非常快的開關響應時間和較大的負載電流。
參考下圖中的規格可以看出，漏源電壓為30V，柵源電壓為20V，漏極電流為200，導通電阻為0002等引數。
封裝效能
vbl7601本產品用途：to-263-7l它是一種採用先進塑料封裝技術的貼片封裝形式，尺寸比傳統的外掛程式封裝方式更緊湊，在晶元焊接過程中提供了極大的便利。
該封裝具有多個與電源併聯的引腳，這大大降低了封裝的阻抗，從而降低了導通損耗並改善了大電流工作環境中的整體電路效能。
產品應用
VBL7601產品因其優異的電氣效能、穩定性、可靠性和低功耗而成為許多客戶的理想選擇。
該VBL7601在各種電路應用中表現出色，例如驅動、開關、放大、調節、濾波、保護和充電。 它的應用範圍很廣，包括充電器、介面卡、逆變器、電源、電動工具、電子煙、光電耦合器、小家電、儲能裝置、智慧型水表、路由器、機頂盒和車載電子產品。
以下是該產品的應用亮點：
1.電訊號放大電路：其高輸入阻抗和低輸出阻抗在確保精確的訊號放大和驅動方面發揮著關鍵作用，尤其是在射頻放大、音訊放大和功率放大等領域。
2.電機驅動：該VBL7601的低導通內阻和快速開關可實現精確的電機控制。
3.電源管理：能夠進行有效的電壓調節、電流控制和電源開關操作。 通過控制MOS的導通和切斷，實現電源電路的高效能量管理。
4.光耦合：該VBL7601有效地實現了光電訊號的放大和隔離功能，如光耦的輸出級驅動和訊號隔離。
以下幾點在MOS選擇過程中至關重要：
1.對產品引數和功能有深入的了解：客戶必須深入研究 N 溝道 MOS 電晶體的關鍵引數，例如電流、電壓和功率損耗，以確保所選器件滿足電路設計的特定需求。
2.考慮應用程式環境和場景：明確MOS管的應用環境，包括溫度範圍和電磁干擾等，確保MOS管在特定條件下能夠穩定執行。
3.實現高效執行：正確選擇MOS電晶體可以優化電路設計，從而提高系統效率並降低能耗。