三星正在考慮將MUF技術應用於伺服器DRAM記憶體

**：IT之家。

IT Home 3 月 4 日報道稱，據 Theelec 報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充 （MUF） 技術。 三星最近測試了用於 3D 堆疊 （3DS） 記憶體的 MR MUF 工藝，與 TC NCF 相比，該工藝的吞吐量有所增加，但物理特性有所下降。

經過測試，該公司得出結論，MUF不適合高頻寬記憶體（HBM），但非常適合3DS RDIMM，目前使用矽通孔（TSV）技術製造，主要用於伺服器。

MUF是一種TSV工藝，在半導體上打上數千個小孔，然後在半導體之間連線和注入半導體的上下層，其作用是牢固地固定和連線多個垂直堆疊的半導體。

在此之前，三星已經在其現有的註冊式雙列直插式記憶體模組（RDIMM）中使用了熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，而MUF是SK海力士用於製造高頻寬記憶體（HBM）的技術（特別是質量回流模塑底部填充膠，簡稱MR-MUF）。

據IT之家查詢，MUF是一種環氧樹脂模塑料，自從SK海力士成功應用於HBM生產以來，在晶元行業引起了越來越多的關注，業界認為該材料被認為在避免晶圓翹曲方面更具優勢。

資料顯示，SK海力士使用的化合物是與NAMICS合作開發的，而訊息人士稱，三星計畫與三星SDI合作開發自己的MUF化合物，並且已經訂購了MUF應用所需的成型裝置。

三星是全球最大的儲存半導體公司，如果三星也推出MUF，它可能會成為主流技術，半導體材料市場也將發生巨大變化，但三星電子的一位官員回應稱，“我們無法確認我們的內部技術戰略。

廣告宣告：正文中包含的外部跳轉鏈結（包括但不限於超連結、**密碼等）用於傳達更多資訊和節省選擇時間，結果僅供參考，IT之家所有文章均包含本宣告。