日本企業繞過EUV光刻機製造2nm壓印裝置，拒絕出口中國，引起關注。
在ASML的壓制下，佳能可以在彎道上超車，成為新一代光刻機的先驅。
作為前國際光刻機市場"霸王"上世紀80年代，以佳能為代表的日本企業在這一領域聲名鵲起，僅佳能就佔據了全球近40%的份額。 不過，由於ASML的EUV光刻機的出現，後來，日本的光刻機走下坡路，直到前段時間，日本的**《朝日新聞》傳來訊息，佳能在10年內又研發出奈米壓印技術，晶元工藝可低至2奈米。
這個結果足以震驚整個半導體行業，在此之前，所有的7nm晶元製造都繞不開EUV光刻技術，全球只有ASML有能力生產，佳能此舉相當於打破了其壟斷地位，直接改寫了市場標準。 外媒的一篇好文章直言不諱地說：這一次，輪到ASML恐慌了。
它不需要光刻技術，還能生產晶元嗎？
目前，世界上具備光刻技術生產能力的廠家並不多，只有荷蘭、中國、日本、美國、南韓，其中荷蘭的光刻精度第一。
據國際半導體協會（SEMI）統計，目前，在積體電路光刻機領域，荷蘭的ASML、日本的佳能和尼康、中國的上海微電子是四大廠商。 ASML佔據82家佳能和尼康各佔4%的市場份額，各佔10%2% 和 765%的市場份額，排在最後兩位，上海微電子的市場占有率接近0%。 此外，如果只考慮7nm或更小的EUV光刻機，ASML將佔據全部份額。
為了壟斷這項關鍵技術，ASML已經與全球5000多家廠商達成了集團合作，因此並不擔心其他廠商搶占市場，這也導致其他光刻機廠商無法走EUV光刻機的道路，只能轉行。 例如，佳能多年來的研發一直專注於奈米壓印技術，聲稱如果沒有EUV光刻技術，就有可能生產出5奈米甚至更小的晶元，並進一步降低成本。
一台EUV光刻機的成本是12億元人民幣，10萬個零件，400條線，2公里的導管，而且消耗了大量的能源，參考台積電的財務資料，去年的能源消耗量是1919億千瓦時，深圳常住人口1800萬，年用電量約1655億度電，這意味著引入EUV光刻工藝的台積電年均能耗，足夠深圳居民一年用電量。 相比之下，這家日本公司的奈米列印工藝可以降低40%的製造成本和90%的能耗，因此佳能依靠這種效能也就不足為奇了。
在彎道超車？我們的國家遠遠落後。
科技時報"digitimes"報道稱，南韓SK海力士引進佳能奈米壓印裝置進行測試研發，預計該裝置將於2024年量產3dN和快閃記憶體，佳能表示，這套雕刻精度為24~3.2nm，每小時可生產100多片晶圓，基本達到3DNAND的量產水平。
值得注意的是，由於日本幾個月前高調宣布對華禁令，23件晶元製造裝置將被列入出口管制清單，因此佳能的新印刷技術無法銷往大陸。 不過，不用太擔心，這個領域一直是索達偉業、天人微納等國內晶元裝置企業追求的熱門技術之一，雖然目前還處於量產評估階段，但從商業角度來看，已經觸及了5nm級別。
近年來，我國產業結構從低端生產數量向高階技術質量轉變，這樣的例子數不勝數：今年前10個月，我國出口總額達到58243億元，比上年增加885%。
中國製造"壓倒性的。
雖然無法引進佳能的奈米壓印技術，但它至少為中國半導體領域帶來了新的思路和方法，相信未來中國企業會在這個行業分支上投入更多的研發力度，與世界同步。
國產光刻機最前沿負責人蘇大偉公開表示："奈米壓印光刻技術在積體電路和晶元製造領域的應用具有替代甚至超越傳統光刻技術的潛力，我們正在主動進行布局。 "
中國製造業不斷以技術自研為動力，不斷擴大和完善，或許正如《人》所說：中國製造業早已不一樣了。