從我國晶元的設計、封裝、測試和製造現狀來看，可能還有10年的差距
晶元作為科技產業的基礎，以及計算機化、數位化的基礎，自誕生以來備受關注，並蓬勃發展。
近年來，由於美國想要切斷全球晶元鏈，打破全球鏈整合格局，引發了全球恐慌，我們看到世界各國都在建設晶元產業鏈，並試圖擺脫或減少對美國的依賴。
中國是個例外，因為我們是美國鎮壓的主要目標之一。
近年來，國產半導體在材料、裝置、工藝上不斷進步，但與此同時，我們也發現了乙個比較尷尬的事實，那就是目前晶圓製造、設計、測試三大環節和整體頂層水平基本同步，但製造相對滯後，差距長達10年。
首先是設計，目前國際上最先進的晶元設計水平是3奈米，國內也有同樣的水平，華為麒麟無法量產，但華為的研發沒有突破，與世界頂級水平同步。
更重要的是，當三星量產3nm時，國內廠商是第一批客戶，這也說明國內3nm晶元設計者的能力更早。
此外，在封測方面，國內有三大封測廠家，位列全球前十，分別是長盛科技、富微電子、天水華天，三大封測企業均位居全球前列。
這三家公司也表示擁有4nm晶元封測技術，至於3nm，因為只是量產，所以他們沒有說，但考慮到封測門檻不高，那麼這三家公司同時實現3nm封測是沒有問題的。
最落後的是晶元製造部分，內地實力最強的晶元製造企業是中芯國際，目前公開披露，量產工藝為14nm，將於2024年量產。
但由於EUV光刻機的不足，停留在14nm，並在2024年被列入黑名單，進一步限制了先進製程裝置的進口，估計暫時難以突破製程，因此中芯國際目前的策略顯然是增加成熟製程的產能，首先解決國內晶圓產能不足的問題， 並慢慢弄清楚。
世界上主要的晶元工藝是3nm工藝，從14nm到3nm。 那麼，從 14 nm 到 3 nm 需要多長時間？我們不妨參考**半導體製造有限公司、三星和英特爾三巨頭。
台積電在2024年達到了16nm製程，然後在2024年達到了3nm製程，相差了8年，而三星的時間差不多，也就是8年左右。 至於英特爾，從14nm到3nm需要更長的時間，預計大約需要9年。
因此，對於中芯國際來說，即使先進裝置不受限制，估計也需要10年左右的時間，而目前的先進裝置和一些技術仍然有限，10年可能還不夠。
因此，一般來說，積體電路的製造能力應該是可以補償的，只要製造能力提高，設計和測試都不是問題，在一定時間上可以與國際頂級水平相提並論。