DDR 終端匹配電阻的合適長度是多少？

上次，我們分析了沒有端接電阻和新增端接電阻後的結果，我們得出結論，當DDR採用菊花鏈拓撲時，需要端接電阻這一次，我們來看看 DDR 末端的終端電阻是離最後乙個 DDR 稍遠一點還是更近一點

這次用到的案例，還是我們上一期的DDR3 1對8正負菊花鏈拓撲。

我們仍然使用相同的方法提取根位址線A3的拓撲結構，激勵訊號為533MHz

當最後乙個DDR到終端電阻的距離設定為100mil時，訊號的眼圖可能比較清晰，眼寬和眼高明顯，訊號上衝和下衝小。

當我們將距離增加到300mil時，我們會發現訊號的過衝和下衝沒有明顯增加，訊號眼圖符合標準。

在500密耳的距離上，雖然訊號眼圖也可以滿足要求，但隨著長度的增加，訊號的過衝和下沖會繼續增加。

當我們做最後乙個**時，當距離設定為1000mil時，我們可以發現結果和我們之前的**結果差不多，過衝和下衝都增加了，但是當距離設定為1000mil時，我們會發現改善效果越來越差，訊號眼的寬度和高度都縮小到了一定程度綜上所述，我們可以得出結論，DDR末端的終端電阻長度與上乙個DDR相比越短越好，訊號質量越短我們設定了4種不同的長度距離，至少在500mil以內的訊號眼圖沒有太大的變化，在實際應用中，我們也按照一般規範DDR端的匹配電阻長度最好控制在500mil以內。

宣告：本文為方一教育原創文章，**轉載請註明**！