美國的目標是捕獲 6 臺 EUV 光刻機，以推進 2 奈米，超越台積電。
據報道，ASML計畫明年生產10臺EUV光刻機，其中6臺已被美國晶元公司英特爾拿下，另外兩台正在與台積電和三星競爭。
第一代和第二代極紫外光刻技術的意義。
台積電和三星目前使用的是3nm工藝的EUV光刻機，因此良率不高。 台積電在3nm工藝中使用了FinFET工藝，雖然3nm工藝的良率可以達到55%，這意味著A17晶元在功耗的情況下只能提高10%的效能。
三星採用了GAA技術，3nm工藝的效率會更高，但3nm的良率只有20%左右，良率太低，所以還沒有人使用過3nm工藝。 當然，台積電的良率更高，但他們的良率只有5nm左右，成本也更高。
造成這種情況的原因之一就是光刻機在3nm工藝中不適合3nm工藝，所以ASML開始了第二代EUV光刻機的研究，這也是ASML開始研發3nm以下工藝的EUV光刻機的原因。
但由於第二代EUV光刻機的工藝要求極高，需要全球5000家廠商的配合，導致ASML的開發速度非常緩慢，難以量產，預計明年最多可製造10臺第二代EUV光刻機， 未來最多為每年20臺。
其次，美國正在密謀反對台積電。
早在幾年前，美國就曾要求台積電交出機密資訊，並要求台積電和三星在美國建廠，並承諾提供520億美元的晶元補貼，這讓台積電就順從了。
但隨著台積電和三星在美國的工廠，美國對台積電晶元的補貼只有10%，三星的晶元補貼只有13%，而英特爾、美光等美國公司已經補貼了晶元，並要求台積電和三星放棄對晶元的補貼。
晶元補貼問題對於台積電來說可能只是一件小事，但台積電最擔心的是台積電的7nm製程，而英特爾的7nm製程則被視為台積電的製程，這種巧合著實耐人尋味。
14nm製程量產後，英特爾在10nm和7nm製程中遇到了諸多障礙，花了整整九年時間才完成7nm製程的量產，而台積電從一開始到現在的領先，在工藝上一直落後。
顯然，美國的目標是讓英特爾在美國保持領先地位，現在，他們已經獲得了六台第二代EUV光刻機，加速了2nm工藝的發展，這意味著美國在晶元生產上佔據了絕對的上風。
第三，美國重新奪回了晶元生產的領先地位。
台積電已經開始大規模製造3nm工藝，但目前的EUV光刻技術不足以製造3nm工藝，因此台積電面臨著巨大的挑戰。
台積電正準備改進3nm製程，將於2024年推出N3E、N3P、N3X，看來他們也意識到了2nm製程的困難，因此將3nm製程的使用時間壓縮到了2024年。
這一幕似乎似曾相識，在英特爾推出14nm製程之後，因為10nm製程難以突破，所以一直在研發14nm製程，直到2024年才開始生產10nm製程，這讓台積電有了追趕的可能，但現在台積電一直無法在3nm製程上取得突破， 而英特爾仍然有可能超越他們。
英特爾明年將獲得六項第二代EUV光刻技術，隨著光刻機的進步，到2024年，英特爾很可能實現2nm製程生產，領先台積電一年，佔據科技領先地位。
多年來，美國一直用同樣的方法確保其技術領先地位，上世紀90年代，日本晶元一度佔據全球晶元市場50%的份額，但在美國的打壓下，日本的晶元市場萎縮到只有10%，再加上阿爾斯通事件，美國通用汽車重新奪回了電子行業的霸主地位， 而現在，晶元技術和以前一樣。