關於EUV光刻機的禁令，南韓公司一舉打破，手段在10年前再次出現！
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導語：曾經被南韓企業打破的極紫外光刻技術禁令，現在又重新出現！
極紫外光刻技術是製造高階晶元的核心裝置，也是整個半導體產業鏈的核心環節。 然而，由於美國對極紫外光刻的禁令，全球半導體行業受到了很大的影響。 這項禁令不僅影響了荷蘭公司ASML，還影響了三星、SK海力士和台積電等下游晶元製造商。 考慮到這一點，南韓公司採取了一種新策略，巧妙地規避了禁令，這是 10 年前就已經使用的伎倆！
首先，我們需要了解EUV光刻機被禁用的根本原因。 美方此舉旨在削弱中國在全球半導體市場的地位，目的是控制關鍵裝置，從而限制中國半導體產業的發展。 然而，禁令並沒有像預期的那樣奏效，相反，中國加快了自主研發，試圖打破技術封鎖。
南韓企業在應對禁令方面表現出了靈活性。 例如，SK海力士巧妙地規避了禁令。 SK海力士在中國也有一家晶圓廠，如果沒有先進的光刻技術，將不可避免地影響產能，因此SK海力士立即宣布將工藝分為三個步驟：首先由中國大陸工廠完成基本工藝，然後將晶圓送回南韓進行EUV工藝， 然後運回中國進行最終包裝。成品包裝廠。
雖然這樣會增加生產成本，但由於*** DARM晶元較高，高成本可以完全收回，因此SK海力士仍然可以獲得可觀的利潤。 此外，這一策略成功打破了對EUV光刻機的禁令，為其他廠商帶來了新思路，可謂是SK海力士之前使用過的十年前策略的重複。
從長遠來看，極紫外光刻禁令的頒布將對全球半導體產業格局產生深遠影響。 首先，該禁令將加速半導體行業的區域化。 面對技術封鎖，全球半導體產業格局將發生巨大變化。 其次，該禁令將迫使中國加快半導體產業的自給自足和自我完善。 中國將進一步加大半導體材料研發投入，加快突破技術封鎖，提高自主產能。 這將有助於中國在全球半導體市場站穩腳跟，逐步減少對國外技術和裝置的依賴。
然而，與此同時，重要的是要注意限制EUV光刻的挑戰。 在全球化和分工中，某個國家或地區關鍵技術的減少將導致全球產業鏈的分化。 這種細分造成了技術交流不暢、資源配置不均衡、市場分割等一系列問題，嚴重影響了全球半導體產業的健康發展。 因此，世界各國不僅要加強技術自力更生，更要注意維護全球產業鏈的穩定與合作。
面對EUV光刻機的禁令等技術限制，企業應積極調整戰略和生產模式。 首先，企業要加強與行業協會的交流與合作，共同應對技術封鎖。 二是要加大研發投入，增強自主創新能力，開發新技術、新裝備; 同時，要密切關注全球產業鏈的動態變化，及時調整生產和生產策略，確保在全球半導體市場保持競爭優勢。
因此，極紫外光刻禁令的頒布，對全球半導體產業產生了巨大的影響和挑戰。 同時，這也迫使許多國家和企業加快自主研發和技術創新的步伐。 在此形勢下，各國應加強合作交流，共同維護全球產業鏈的穩定與繁榮。 為了應對技術封鎖的影響，企業需要敏捷、創新和戰略調整。 只有這樣，我們才能推動全球半導體產業的可持續發展和進步。