ASML浸沒式DUV光刻機和EUV光刻機正式停產！
前言。 ASML在中國大陸的獨特投資策略引起了業界的極大興趣和熱議。 它是世界上最大的光學蝕刻機製造商，其最先進的機器在當代電子製造中是不可或缺的。
雖然阿斯梅爾此前已經決定是否繼續向我們出口深紫外光源，但由於來自美國的壓力，荷蘭不得不暫時暫停向我們供應這項重要技術，情況突然發生了巨大變化。
縱觀中國的發展歷史，荷蘭ASML集團在這方面也有自己獨特的看法。 在創業初期，我們與中國開展了廣泛的經貿合作，雙方在人才交流和技術合作等領域進行了廣泛的交流，也為中國本土企業提供了大量的技術和裝置。
隨著中美博弈的加劇，阿斯梅爾的工作方式發生了變化。
特別是近幾年來，美國企業在業務領域對他們施加了大量的限制，甚至以各種方式歧視他們。 因此，為了確保自己的生意不受任何損害，阿斯梅爾也必須謹慎應對。
2022年12月8日，荷蘭最大的晶元生產商**antium（*antium）表示，由於來自美國的壓力，已決定將其晶元業務限制在中華人民共和國。
2022年12月9日，根據與會國的外交新聞報道，美國和荷蘭在可能簽署針對中華人民共和國的半導體產品出口管制協議方面取得了階段性成果。
荷蘭表示願意深化與美國的關係，美國於10月7日出台了一系列措施，禁止中國公司獲得先進的晶元技術，並使中國半導體產品的進口管制制度合法化。
據國內外報道，其中一項特別執法措施是禁止荷蘭ASML**公司向中華人民共和國生產競爭激烈的深紫外光刻機。 儘管該裝置的功能略遜於EUV光刻機，但它在7奈米及以上的晶元上仍然具有足夠的硬體能力。
ASML發布的公告。
今年年初，情況發生了很大變化。 全球最大的光刻裝置製造商ASML近日發布公告稱，荷蘭當局宣布取消部分光刻機的出口許可證，包括ASML的2050 i和2100 i兩大主要型號，因為不可能向中國企業提供此類光刻機，因此中國大陸僅有的少數依賴這種型號光刻機的消費者受到了影響。
那麼，在高新技術領域，是否會對高階積體電路技術的發展產生不利影響呢？ 事實上，情況並不像人們想象的那麼悲觀。
ASML的公告比看起來要複雜得多，它包含了很多細節。 雖然ASML只提到取消了2050 i和2100 i光刻許可證，但實際上這四個可輸出裝置仍然是可生產的，換句話說，2000 i和1980 di仍然可以承包給客戶**。
我們必須意識到，所有四種浸沒方法都可用於生產 45 到 7 nm 的工藝，但它們的行為不同。
顯然，荷蘭**雖然應美國**的要求**，但這次只收回了兩家石版印刷商的許可證。
如果美國繼續施壓，荷蘭將採取更嚴格的措施控制2000 i光刻裝置的進口，但ASML仍有權向客戶交付剩餘的1980 Di光刻機。
由於ASML已經向客戶交付了大量的光刻機，ASML的光刻機供應不會停止。 ASML前段時間宣布，其DUV光刻機的中國使用者預訂數量已接近尾聲。
這是乙個好兆頭，表明ASML的供應沒有受到事故的影響，中國大陸對ASML光刻裝置的需求仍然很高。
據悉，ASML面向中國大陸市場的光刻機系列已達600億台，2022年銷量幾乎翻了一番; 值得一提的是，ASML今年第二季度從中國大陸獲得了24%的收入，今年第三季度這一比例上公升到46%。
綜上所述，可以肯定地認為，ASML在中國大陸擁有很高的市場份額，其現有庫存足以確保其能夠在未來幾年內保持**。
上海微電子***
據公布訊息，荷蘭ASML公司推出了一款名為Twinscannxt：2000 i的產品，是目前最前沿的深紫外浸沒式光刻裝置; 需要注意的是，這種型號和更先進的光刻裝置受出口管制政策的約束。
這意味著中國只能依靠 1980 年代及之前的 TwinsCannxt，它缺乏準確性和容量：根據 ASMAX 網站，NXT 1980 Di 的解像度超過 38 nm，1數值孔徑為 35 nm，可達 275 塊小時。 每小時 275 片。 雖然可以多次實現7nm以下的精密測量**，但由於成本高且難以批量製造，目前僅適用於14nm以上的精密加工。
中國克服了種種困難，堅定了在光學顯微鏡領域進行自主研究的決心。 上海微電子有限公司自主研發的90nm光刻裝置SSA600 20，實現了90nm工藝的量產，並達到了45nm的最高加工能力。
雖然ASML在中國市場沒有大量的高階產品，但對於中國來說絕對是乙個重大的成功，因為他們有自己的光刻工藝。
為此，上海微電子開發了193奈米ARF光刻工藝，涵蓋從45奈米到22奈米的所有尺寸。
雖然這個模型無法與NXT 1980 Di Duv**相提並論，但足以顯示中國在光刻技術上的決心和實力。
中國要趕上世界先進的紫外光刻技術還有很長的路要走。
美國官員正在向ASML施加壓力。
根據ASML的公告，我們預計美國出口許可證的撤銷和一些早期的限制不會對公司2023年的財務狀況產生難以承受的影響。
正是基於這種情況，美國和ASML前段時間進行了深入會談，闡述了出口管制的原則及其帶來的影響。
特別是2023年10月17日發布的《出口管制令》，通過限制某些型別的中高階深紫外（UV）浸沒式光刻裝置的供應，限制了部分高階晶圓廠商的供應。
在這方面，ASML還強調，它將繼續在其經營所在國執行相關法律和法規，特別是出口管制法規。
此外，據報道，在ASML發布官方公告幾個小時後，美國**來到工廠，要求ASML立即暫停其為中國客戶訂購的部分機械裝置。
需要注意的是，深紫外光刻是為28奈米及以下的工藝而設計的，而28奈米及以下的工藝是為28奈米及以下的工藝而設計的。
這種光刻工藝是以科技原理為基礎，經過多通道改造，已經能夠製造出10奈米以下的晶圓，世界領先的廠商包括荷蘭的ASML、日本的尼康、佳能等。
在5奈米及以下，極紫外（UV）將是下一代光刻和工藝的核心，而ASML是目前全球唯一能夠提供7奈米及以下工藝的大規模IC晶元的重要元件。
總之，美國對ASML的產品實施了嚴厲的出口管制，這將對全世界的半導體行業產生巨大影響。
無法購買浸入式光學顯微鏡。
最初，由於美國的限制，ASML的極紫外（EUV）光刻裝置無法進入中國市場。 然而，中國大陸的半導體公司尚未能夠將極紫外光刻技術應用於核心器件。
在此期間，美國一直在加緊努力，將國產14奈米工藝限制在國內工藝範圍內，並與日本、荷蘭等國家聯手加強對光刻工藝的控制。
日方已明確表示，任何使用浸沒式光刻的裝置都無法出口到中國。 荷蘭ASML公司聲稱，目前只有一台水下光刻機可以滿足JJ加工（JPEG）NXT：1985 DI的要求，具有出口資質。
接下來發生的事情表明，從 2023 年 10 月開始。 由於美國再次收緊對中國的進口限制，僅存的ASML NXT：1985型號已被列為禁運物品，無法運往中國大陸。
ASML還表示，儘管存在障礙，但憑藉其專業知識，它能夠獲得當年的許可證，並且工作進展順利，預計未來將向中國市場推出全套浸沒式光刻裝置（深紫外和極紫外）。
鑑於2024年是新政策實施的開始，我們有理由預期ASML將於明年下半年開始向中國大陸供應DUV浸沒式機和極紫外光刻裝置。
特別是今年以來，中國從ASML獲得了大量的光刻機，截至11月底，中國大陸已從ASML進口超過500億美元，比去年同期增長了三倍。 當然，中方也在搶占ASML浸沒式光刻機的市場，大規模採購和囤貨，因為明年之後，要找到這樣的好時機就不容易了。
中國的脊梁不會輕易屈服。
從5G開始，美國發現中國的尖端技術可能成為其潛在的危險，對中國企業實施了一系列針對中國企業的壓力和壓力，但也催生了一批具有國際競爭力的中芯國際、長江儲存、長鑫科技等一批具有國際影響力的公司。
從最初對中國半導體產業的“禁運”，到隨後與日本、南韓和荷蘭的形成"四方聯盟"，然後終於簽署了三方秘密協議，美國對中國半導體產業進行了一輪又一輪的打壓，現在美國的監管手段基本公開。 美國的監管在很大程度上是開放的。
美國所有行業都受到嚴格監管，包括半導體原材料和軟體製造商、中層光刻機製造商和代工廠。
因此，我們必須自力更生，自力更生。 中國積極推動光刻技術的發展，力爭早日實現國產替代。 我們應該意識到，一旦我國成功突破這一臨界點，將標誌著美國科技霸權的徹底崩潰。
在巨集觀層面上，我認為美國對中國半導體產業的限制可能是中國技術發展的契機，也是推動技術發展的契機。
美國全面打壓中國的目的，就是為了阻止中國晶元產業更上一層樓，而最重要的攻擊目標之一就是中國的中芯國際（SMIC）。
中芯國際是中國最具競爭力的晶元製造商，也是全球五大晶元製造商之一。
結語。 目前，大中華區半導體行業已與歐洲的英飛凌、意法半導體、法國等知名企業，日本著名的東芝、村田製作所等知名企業建立了良好的合作關係，與南韓三星電子、SK Innovation等企業建立了良好的合作夥伴。
在此基礎上，尋求更多元化的替代品來滿足光刻等核心裝置的需求，無疑將使中國晶元產業更具抗風險能力，從而增強其國際競爭力。
上述研究結果表明，這些資訊將對大中華區的半導體行業產生非常複雜的影響，包括正負共存、巨大挑戰和千載難逢的機遇。
因此，我們希望業內同行，在這個非常重要的時刻，一定要保持清醒，不要太悲觀，不要太驕傲，只有增強信心，加強自身自主的科技攻關，拓寬國際交流與合作領域，推動半導體產業的高質量發展，只有這樣， 我們能否在這個充滿挑戰的市場中逆勢而上，取得更大的成功。