鯤鵬專案
ASML最新EUV光刻機：價值27億元，重150噸，需要250人安裝，共計180天。
眾所周知，ASML是世界上唯一一家能夠生產EUV光刻機的公司。
目前，ASML的外部光刻實際上是na = 033 NA光刻，即低數值孔徑光刻，一般用於3nm-7nm晶圓的光刻。
而當晶元小於3nm時，即2nm，14nm、1nm，需要採用高數值孔徑光刻，即光刻Na=055、型號必須為 exe：5200。
不久前，ASML終於向英特爾交付了世界上第一台高數值孔徑光刻機EXE：5200。
這台光刻機有多可怕？ 首先，它的標價高達 35億歐元（約合27億盧比）。 更重要的是，它幾乎與雙層巴士一樣大，重達 150 噸或 150,000 公斤。
這種型別的光刻機在完全安裝後不能發貨，而是拆卸成零件並運送到客戶現場然後重新組裝。
運送需要 250 個箱子，需要 250 名工程師安裝，然後在工地上組裝和安裝所有東西需要 6 個月的時間。
因此，儘管ASML向英特爾交付了世界上第一台高數值孔徑EUV光刻機，但實際上它只是將其運送給英特爾，而下一台光刻機至少在半年後正式投入使用。
按照英特爾的計畫，自己的英特爾2製程（即2nm晶元）要到2025年才會生產出來，所以這款光刻機的生效執行日期也將是2025年。
此前，ASML總裁曾表示，當數值孔徑達到0在55歲時，這可能是暫時的結束，甚至可能出現最新一代的EUV光刻機，ASML表示，在目前的技術水平下，它們無法再增加數值孔徑。
目前，EUV光刻提高解像度有三個方向：一是降低光源的波長，但135奈米的極紫外線（EUV）已經是極限，無法降低。 二是增加數值孔徑，但是這一步也被擋住了，asml表示不能增加，055 是極限。
此外，還存在更新光刻工藝因素的問題，但目前的技術也正在接近實現這一目標的物理極限。
短期來看，這三個方向是無奈的，即EUV光刻技術的解像度暫時無法提高，那麼EUV光刻技術下一步的發展將走向何方呢？ 沒有人能說。
那麼，以佳能的NIL奈米壓印技術為例，它是否會取代EUV光刻技術，成為未來的主流呢？