被美國打壓，中國儲存晶元巨頭發展現狀如何？
對於儲存晶元製造商來說，今年是十五年來最困難的一年。
市場的疲軟導致了市場供過於求，每個人都在不斷降價，以更低的價格獲得更多的訂單。 這些大公司之間的競爭非常激烈，導致產品**不斷下降，在許多情況下甚至下降了 50%。
別忘了，TB SSD 每 TB 售價 200 美元，最便宜的版本售價 400 美元。
在這種情況下，三星、SK海力士和美光遭受了很大的損失。 據統計，到2023年，他們在儲存晶元上的損失將達到1500萬元。
很多人對民族記憶體廠商表示感謝，覺得晶元行業有其道理，但背後也有民族記憶體企業，如果沒有民族記憶體企業，也不會跌得那麼厲害。
2023 年的大衰退實際上是由幾個原因引起的。
但問題是，國產儲存晶元在如此不利的環境下發展到什麼程度？ 這是乙個很好的話題。
華夏擁有三大儲存器工廠：長江儲存（主要生產NAND快閃記憶體）、長鑫（主要生產DRAM）和福建金華。
然而，由於美光的影響，金華儲存的發展停滯不前，只有長江儲存和長鑫兩家公司繼續取得進一步的進展。
長江儲存會把它放進去"晶體堆疊"該技術從 64 層增加到 128 層，很快達到 232 層，超越三星和美光等行業巨頭，成為全球最大的 232 層 3D 快閃記憶體晶元製造商。
然而，在美國的壓力下，美國**決定阻止我們的128層NAND快閃記憶體技術。
長江儲存只有幾條232層快閃記憶體生產線，這些生產線是在禁令發布前建成的，現在大部分都在生產128層快閃記憶體。 前段時間，有**報道說，長江儲存已經研發出120層的快閃記憶體晶元，這是乙個突破，但不知道是真是假。
從市場和容量來看，長江儲能目前佔全球市場份額的5%，容量約佔6%，且容量還在不斷擴大，預計未來將佔全球總容量的15-20%。
至於長芯，其DDR5記憶體目前位居前列。
不過，它們在產量方面仍然落後於三星和SK海力士：三星的晶元產量已經達到14nm及以上，而長鑫的晶元產量仍在21nm到19nm之間。
美國還禁止中國生產小於18奈米的DRAM晶元，這些晶元不能出口。
不過，前段時間，有訊息稱長鑫已經開始量產185nm DRAM晶圓，月產能為10萬片晶圓。
同時，長春半導體已經開始二期生產，預計2024年完成，屆時月產晶元1.4萬顆，相當於全球儲存晶元的10%。
可以看出，雖然DRAM和NAND快閃記憶體市場受到重創，但廠商已經付出了努力，技術和產能也在不斷超越，競爭將逐漸加劇。
這就是為什麼國產儲存晶元**在2023年如此瘋狂的原因：競爭對手越多，來自中國廠商的**就越高，他們必須不斷降價。
他們只是希望各民族儲存廠商在技術上取得更大的進步，增加產量，擴大市場份額，避免未來再次漲價。