摩爾定律停滯不前，中國有足夠的時間趕上台積電和三星！
眾所周知，在晶元製造方面，中國大陸無法與世界頂尖的晶元技術相提並論。 以台積電和三星為例，他們已經進入3nm工藝，並將在2025年進入2nm工藝。
我們該怎麼辦？ 目前的 14 nm，即 ***，大約有 10 年的歷史。
華為推出的麒麟9000 S預示著我們可能會面臨7奈米工藝，但兩者之間並沒有必然的關係，即使是同樣的7奈米工藝，其實它也有整整兩代人的歷史，對計算機稍有了解的人都能看出它們之間的差異。
這就是為什麼美國採取了各種措施來遏制或拖延我們發展高階積體電路的原因，使我們在半導體產業上永遠被美國甩在後面，讓美國從中獲益。
例如，極紫外光刻不能賣到中國大陸，目前尖端的深紫外浸沒式光刻裝置不能賣到中國大陸。
儘管前景黯淡，但隨著晶元技術接近其生理極限，我們仍然有足夠的時間超越台積電、三星和其他公司。
晶圓工藝是指14nm、7nm、3nm等嗎？ 實際上，這是門的寬度。 它也被替換為"線寬"，用於表示蝕刻最少的晶元線的寬度。
但是，自28奈米以來，半導體行業的線寬一直沒有增加，因為一條線的寬度必須超過10（甚至100），這使得無法繼續減小線寬。
從28nm開始，矽片工藝的進展主要由結構和工藝驅動，這使得能效和效率與更高工藝的矽片相同。
比如在28奈米製程中，我用的是28奈米製程，線寬不會變，但是我把製程增加到了15%，所以在我們這個時代，應該叫28奈米或者22奈米吧？ 22 nm 也是如此，因為 22 nm 是在 14 nm 和 10 nm 之上開發的。
同樣，7 nm、5 nm 和 3 nm 也不是簡單地指 7 nm、5 nm 和 3 nm，而是在架構、工藝等方面進行了優化，使其理論上可以達到 5 nm 和 3 nm 的能效和效能。
當今IC生產技術的發展方向不再是減小線寬，而是開發更先進的結構，如FinFET、Gaafet等，利用3D結構實現電晶體的3D堆疊，從根本上符合摩爾定律"等效過程"！"
此外，由於線寬實際上並沒有減小，因此許多半導體器件，如光刻裝置和蝕刻裝置，通常用於這種型別的晶圓製造。 雖然目前被稱為“晶元工藝”的技術仍處於發展階段，但確實處於停滯狀態，距離我們趕超還有很長的路要走。
雖然目前還沒有成熟的極紫外光刻和深紫外浸沒工藝，但我們仍然可以在架構、工藝、器件結構等方面進行改進，並在此基礎上進行改進，並在此基礎上進一步改進。