如何解釋MOSFET鉗位的誤區？

以 N 溝道平面 MOS 為例，如下圖所示。

導通的建立是在源漏的兩個 n+ 區域之間建立乙個 n 漂移區域。 如圖所示，PN結J2被源金屬短路，PN結J1的內建電場由右向左水平引導，當向漏極施加正電壓時，PN結J1反轉，當柵極不施加偏置電壓時，沒有電流流過漏極源。 當施加在柵極上的正電壓超過MOS的柵極開啟電壓vth時，在柵極級下方形成充滿電子的反向層（圖中的逆通道），形成MOS導通通道。

當漏極電壓很小（VD《（VG-VTH）》）時，整個溝道的厚度基本相同，溝道阻抗基本不變。 當溝道電流上公升時，由於溝道電阻，溝道內會形成從右到左的電壓差，這會抵消部分柵極偏置電壓，使漏極端的溝道變窄，如下圖所示。

隨著電流的持續上公升，漏極電壓上公升到等於偏置電壓（VD=（VG-VTH））。 當溝道靠近漏極時，反相層中沒有電壓，形成溝道預箝位。 漏極電流飽和，漏極電流的大小由柵極偏置決定，如下圖所示。

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