中國從荷蘭進口光刻機已激增1000臺，國產光刻機前景渺茫嗎？
據中國海關統計，2023年12月，中國大陸從荷蘭進口光刻裝置總值11億元，同比增長1000%，同比增長1000%，同比增長1000%，10月份增長1.1元6億元高得多。
今年，半導體裝置的進口額也接近400億元。
有網友忍不住問，這麼多進口石版畫，是不是意味著國產石印不再儲存了？
家用平版印刷機真的不能滿足我們的需求。
由於解決方案不同，晶元製造工藝可能會有很大差異。
航空航天晶元在可靠性、安全性、抗輻射性方面有較高的要求，但在效能方面沒有太高的要求，因此通常採用55nm、60nm甚至更高的工藝。
智慧型手機晶元需要高效能、低功耗、邏輯、人工智慧、通訊等功能，整合CPU、GPU、ISP、NPU等，因此多採用7nm工藝。
上海微電子有限公司的600光刻機是目前國內唯一可以批量生產銷售的光刻裝置。
光刻技術可以同時滿足90nm、110nm、280nm、55nm等光刻工藝的要求，可以實現多種**條件下的晶元製造，但良率降低，洩漏增加。 更適合工藝要求低的晶元應用，如航空航天、工業控制等。
我們日常生活中使用的手機晶元、計算機處理器、人工智慧晶元，都需要更先進的微成像工藝，而這只有ASML才能實現。
ASML成立於1984年，是一家荷蘭公司，擁有85%的市場份額，是世界上最大的平版印刷機生產商。 我們有 6 種型別的平版印刷機，包括 G-line、i-line、KRF、ARF、ARFI 和 EUV。
我們可以看到，ARFI光刻（又稱浸沒式深紫外光刻）經過幾次就可以製作出7奈米的晶圓**。 華為麒麟990和麒麟9000都使用了這種微陰影技術。
極紫外光刻是目前市場上最先進的光刻技術，可以生產小至7奈米的晶圓。 華為（華為）麒麟9000（麒麟9000），蘋果（Apple）A16（A17），高通（Qualcomm）（高通）8Gen1（8Gen1）和8Gen2（Gen2）（8Gen2）。
ASML前段時間發布了一款高數值孔徑極紫外光刻機。 傳統的EUV光刻機有033 的數值孔徑和 13 nm 的分辨能力適用於 5 nm 和 3 nm 晶元的製造。 歐洲最新的紫外光刻機能夠達到055 nm，解像度為 8 nm，可同時製造 2 nm 和 1 nm 晶元。
簡而言之，ASML光刻技術對所有晶元設計都有效。
這不是重點，重點是ASML佔全球DUV光刻機的90%以上，EUV光刻機的100%。
晶元生產商，包括台積電、三星、台積電、聯電、中芯國際; IDM製造商無一例外地採用了ASML光刻工藝：英特爾、三星、SK海力士、美光、長江儲存等都採用了ASML光刻工藝。
其他裝置製造商正在積極與ASML合作，以提高光刻工藝的整體效率和晶圓良率。
因此，如果國產光刻機不能達到目前的工藝水平，購買ASML光刻機並不是最好的政策。
增加對光刻技術的出口限制。
2023年6月30日，荷蘭頒布了高檔半導體裝置出口管制新制度，禁止未經許可從荷蘭出口某些虛構的光刻印刷機; 該系統原定於 2023 年 9 月 1 日開始，但後來因一些特殊情況推遲到 2024 年 1 月 1 日。
此前，對EUV光刻工藝的控制已經得到加強。
ASML表示，這種水下光刻機有四種型號，即1980 Di、2000i、2050 I和2100 I，它們都在38nm以下。
2050 i 和 2100 i 是世界上最先進的深紫外光刻機，廣泛應用於 28 nm、14 nm、10 nm 和 7 nm，理論上也可以應用於 5 nm 晶元的製造。
1980 年的 DI 是一台已有 10 年歷史的第一代深紫外光刻機，可以製造 10 奈米晶元，而系統只能正常工作時間的 97%。
雖然台積電之前已經使用這種微成像技術製造了7nm晶元。 然而，眾所周知，台積電的 7 奈米工藝含有大量水分，可能比英特爾的 10 奈米工藝差一點。
因此，大多數 14 奈米或更高晶元的晶圓廠都使用 1980 年的 DI 光刻工藝，而 7 奈米以上的晶圓廠很少。
2050 i 對應 7 nm 以下的晶元，這也是一種高階 DRAM，7 nm 以下的晶元不如 10 nm。 不過，考慮到光刻裝置的缺乏，估計也會使用7nm晶元。
簡而言之，荷蘭對光刻技術的出口限制旨在阻止我們採購超過 14 奈米的邏輯晶元、高階 DRAM 晶元和超過 128 層的 NAND 快閃記憶體。
其應用範圍包括智慧型**、個人計算機、人工智慧晶元以及與之相關的儲存器。
從短期來看，它對我們的軍工工業沒有影響，但對我們的高科技產業卻有很大的影響。
高科技是大國競爭的基石，現在人工智慧再次帶來了根本性的變化。
一些分析人士還認為，光刻禁令是對華為等中國科技巨頭的制裁。 但他們只有乙個目標，那就是限制高科技的發展。
因此，有必要突破傳統，自主研發國產光刻機。
國產平版印刷有前途嗎？
關於國產光刻機的資訊很少，很多光刻裝置都是從國外進口的，所以很多人覺得國產光刻機有問題。
其實不然。
早在2022年，就有官方背景**報道稱，上海微電子有限公司在28奈米光刻機上取得重大突破，預計將於2023年交付商用，並對中芯國際和華虹在晶元代工領域取得的進展表示讚賞。
按照計畫，28奈米光刻機至少完成了一次測試，目前正在進行二、三測試，距離正式下線已經不遠了。
根據公布的資訊，28奈米光刻裝置的所有基本部件都是國產的。
光源採用193nm深紫外光源，由北京科益巨集源公司和ASML公司生產。 光學元件由國旺光學生產，國旺光學已經具備28奈米光刻機的技術指標，但與德國蔡司仍有較大差距。
在清華大學和華為提供的技術支援的基礎上，華夏精密設計了雙工作台。
QIER E&M開發的浸泡溫度穩定性誤差為0001，達到國際先進水平，綜合實力僅次於美國的ASML和日本的尼康。
同時，我國紫外光刻技術的研發也在不斷加強。
2023年，中科院院長溫寧科訪華期間訪問長春光機研究所時，對國產EUV光刻技術給予了高度評價。
這一舉動甚至讓文寧克心煩意亂，因為他認為中國先進的光刻技術正在摧毀全球產業鏈，同時也會威脅到全球晶元產業鏈。
這說明國產EUV光刻機的研發速度非常快，已經達到了核心技術的門檻。
中國不能製造原子彈。 “蘇聯專家和美國**都這麼說。 所以，我們有原子彈，氫彈;
美國前國防部長曾說過，“中國不可能製造出第五代戰鬥機”，那就是殲-20;
台積電張忠謀表示，“即使大陸投資一萬億元，也不可能製造出高階晶元。 麒麟9000 S就是這樣誕生的;
ASML表示，即使他們從中國拿到圖紙，也無法製造光刻裝置; 我不知道這是否算數。 如果是這樣，ASML肯定會被打臉。
我們從荷蘭進口光刻機，以擴大產能並減少進口。 不過，國產光刻機從未放棄研究，在加速研發中，相信用不了多久就會有好訊息傳來。
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