（一）專案的必要性
1、行業發展迅速，CVD碳化矽市場前景廣闊
近年來，由於全球第三代半導體和積體電路等半導體行業保持強勁增長碳化矽外延片、矽外延片及下游晶元及器件隨著出貨量不斷創下歷史新高，外延裝置的需求和可用性持續增長，裝置零部件市場持續擴大。 作為關鍵的精密部件，半導體裝置的碳化矽零件在反應腔中，其中一些與晶圓直接接觸，這對於晶圓製造和晶元製造來說是非常困難的。
半導體材料及零部件產業作為半導體產業鏈的基石和上游核心環節，具有重要的戰略意義。 據QY Research統計，2022年全球CVD碳化矽零部件市場規模將達到8家13 億美元，預計到 2028 年將達到 14.4 美元32 億美元，復合年增長率 （CAGR） 為 989%。
作為全球最大的半導體產品消費市場，近年來中國對各種半導體產品的需求大幅增加，需求帶動半導體行業逐漸向中國轉移。
據QY Research資料統計和**，2022年中國CVD碳化矽零件市場規模達到200億美元，有望達到426 億美元，復合年增長率 （CAGR） 為 1344%。我國CVD碳化矽零部件市場前景廣闊，探索空間巨大。
2、下游客戶對自主可控產業鏈的需求增加，公司擴產順應行業發展
為應對國際摩擦加劇和地緣政治矛盾加劇帶來的風險，公司下游客戶從自主可控的產業鏈角度出發，積極拓展國內關鍵零部件一流供應商，帶動公司業務發展。 為滿足客戶採購需求的持續增長和對更高產品效能的追求，公司擬通過本專案的實施，實現產能和產量提公升，縮短供貨週期，降低生產成本，提公升核心技術研發能力，從而實現產品公升級迭代和品類拓展。
3、豐富和優化公司產品品類，為公司開發新的利潤增長點
除了用於SIC外延裝置、MOCVD裝置、SI外延裝置的碳化矽塗層石墨零件外，公司近年來積極拓展新的產品類別，包括聚焦環和氣體噴頭等物理碳化矽零件、爐管等燒結碳化矽零件等產品，新產品下游市場廣闊。
隨著國家對半導體裝置零部件的支援和鼓勵相關政策的不斷出台，以及公司下游客戶對產品效能水平和產品型別的要求不斷提高，為保持公司在半導體裝置碳化矽零部件行業的技術領先地位和市場競爭力， 公司將進一步拓展產品線，優化產品結構，豐富客戶群體，開拓新市場，為公司形成新的利潤增長點。
（2）專案可行性
1、國家產業政策支援半導體裝置及零部件產業高質量高速發展
公司產品屬於半導體裝置零部件行業，裝備製造下游產品以功率器件、LED晶元、積體電路等產品為主，面向新能源汽車、LED、消費電子、光伏等終端市場，屬於國家產業政策扶持的重點領域。 為促進半導體產業發展，提公升產業創新能力和國際競爭力，近年來我國出台了一系列相關政策。
2020年7月，《關於促進新時代積體電路產業和軟體產業高質量發展的若干政策》出台，多方面推動積體電路發展，優化積體電路產業和軟體產業發展環境，深化產業國際合作; 2021年12月，《數字經濟發展“十四五”規劃》發布，重點關注下一代移動通訊技術、電子資訊、第三代半導體等新興技術。
2022年9月，工業和資訊化部等部門聯合印發《原材料行業“三品”實施方案》，提出到2025年，我國高溫合金、高效能特種合金、半導體材料、高效能纖維、複合材料等產品和服務將顯著提公升對重點領域的支撐能力， 到2035年，原材料供應能力和水平及服務質量將大大提高，達到世界先進國家水平。
近年來，隨著下游行業市場需求的推動，公司主營業務收入快速增長，隨著公司資金到位，產能和研發實力不斷提公升，預計公司產品需求將保持持續增長態勢，市場競爭力將不斷提高。
2、公司技術優勢領先
公司長期致力於半導體裝置用CVD碳化矽鍍膜技術的創新研發，積極與國內半導體產業鏈龍頭企業開展技術合作。 目前，公司已成為半導體裝置用碳化矽零部件領域的國內龍頭企業，2022年中國市場排名第三，全球市場排名第八，中國企業排名第一。
公司自主研發了CVD碳化矽沉積爐、產品工藝配方等核心生產裝置等核心技術，克服了100多項工藝和技術難題，成功掌握了CVD法製備碳化矽的工藝，實現了規模化量產。 應用工藝主打產品碳化矽塗層石墨基材的關鍵技術指標達到國內領先、國際主流水平，加速行業國產化程序。 卓越的研發能力和領先的技術儲備為公司的專案實施奠定了基礎，並將繼續帶動公司未來的業務增長。
3、公司擁有優質的客戶資源基礎
公司主要產品已通過100多家半導體企業批量驗證，並與國內半導體裝置、外延片、晶圓廠等領域的領先廠商建立了穩定的合作關係，擁有領先的市場地位和豐富的客戶儲備。
公司建立了較為完善的半導體裝置用碳化矽零部件全產業鏈生產體系，可有效保障國內下游客戶供應鏈自主可控。 同時，公司具有本土化優勢，貼近市場，更了解國內使用者的需求，在日常服務響應速度和服務能力方面比國際同行更具優勢。
公司憑藉領先的技術水平、卓越的產品效能和優質的服務贏得了客戶的信賴，與下游龍頭企業建立了長期、穩定、深入的業務合作關係，擁有豐富優質的客戶資源。
4、公司擁有與生產研發相關的人才儲備
公司高度重視科技創新的發展，不斷引進行業優秀人才，形成了一支由行業資深專家領銜的高階管理人員和核心技術人才隊伍半導體領域、碳化矽材料、石墨材料領域專家，負責公司成熟產品的工業化生產、新產品研發和成熟產品的持續改進。
報告期內，隨著業務規模的大幅提公升，公司同時擴大了團隊，加強了生產研發人員的招聘和培訓。 報告期末，公司生產人員211人，佔63人17%，研發人員58人，佔17人37%。公司高度重視研發團隊的建設和培養，建立了較為完善的人才培養體系。
（3）碳化矽材料研發製造總部專案
一、專案建設概況
專案主體為廣州志城，建設地為廣州市黃埔區永和街道永新街23號。 建設規模主要包括1個生產車間、1棟研發辦公樓、1個電站和1個甲級倉庫。 本專案建設完成後，將主要從事半導體裝置用碳化矽零件的生產和研發，包括碳化矽塗層石墨零件和固體碳化矽零件等產品。
2、專案投資估算
該專案建設的擬議投資為64,68930萬元，其中計畫使用31489元30萬元，主要用於裝置購置安裝及相關營運資金。
3. 專案時間週期和進度
該專案建設工期5年，已於2021年開工，主體建築已完工，第一條生產線已於2023年投產。
四、專案備案程式
2021年4月6日，本專案建設內容已獲得廣州開發區行政審批局頒發的《廣東省企業投資專案備案證書》，國家**2104-440112-04-01-310128，專案涉及的備案手續已完成。
根據實際投資情況，專案整體建設規模已達到一定程度，公司變更了此前備案檔案審批，並於2023年2月獲得更新後的《廣東省企業投資專案備案證書》。
5. 環境保護
2022年7月14日，廣州開發區行政審批局出具《致成半導體碳化矽材料研發製造總部專案環境影響報告書》（遂凱批准環評第2022號143號），批准了該專案環境影響報告書，同意專案建設。
專案建成後，在生產研發過程中可能會產生一定量的廢氣、固體廢物、生產廢水和噪音，但不屬於重汙染行業。 在專案實施過程中，公司將採取嚴格的汙染物防治措施，使執行產生的各類汙染物和電力裝置執行產生的雜訊得到有效控制，主要汙染物達到排放標準，達到國家環保部門頒布的控制指標總量要求。
6. 土地使用權
本專案用地已由專案主體廣州志成以掛牌轉讓形式取得，土地證號為“粵（2021）廣州房地產06072473號”，土地性質為工業用地，用地面積為15275598 平方公尺
（4）碳化矽材料研發專案
一、專案建設概況
為提公升公司自主研發能力，鞏固公司在現有產品領域的核心競爭力，提公升產品豐富度，公司計畫繼續開展半導體裝置用碳化矽零部件的研發。 本專案主要實施主體為廣州志成，主要實施地點為廣州市黃埔區永和街道永新街23號。 具體而言，計畫在以下方向開展研發工作：
（1）碳化矽塗層石墨件研發及技術改進專案
報告期內，公司主要產品為碳化矽塗層石墨零部件，可用於SIC外延裝置、MOCVD裝置、SI外延裝置等裝置。 隨著下游客戶對公司產品效能、壽命和質量要求的不斷提高，為保證公司產品的市場競爭力，滿足客戶對新裝置、新工藝、新產品等具體需求，公司需要不斷研究和改進成熟產品，提公升客戶服務能力。
本專案的具體研發內容包括使用生產CVD碳化矽沉積爐及其集群資料採集系統、架構及工藝配方軟體開發、芯材超高純純工藝研究開發等
（2）物理碳化矽產品及技術研發專案
固體碳化矽材料由於其優異的耐高溫性、導熱性和耐等離子體蝕刻性，已成為蝕刻、熱處理、薄膜沉積等積體電路製造裝置應用的理想材料。 以聚焦環為例，作為蝕刻裝置的組成部分，主要目的是提供均勻的等離子體氣體，保證刻蝕的一致性和準確性，因為它與晶圓直接接觸，腐蝕速度快，需要很強的耐腐蝕性和穩定性。
本專案基於公司多年積累的CVD碳化矽技術，重點研發等離子刻蝕等積體電路製造裝置中使用的碳化矽零部件聚焦環、頂蓋、伴侶、噴頭和其他產品。
本專案的研究內容包括提高物理碳化矽產品效能達到國際先進水平，開發更多的裝置製造商和晶圓廠客戶，完善國內一流鏈條，為公司帶來新的利潤增長點。
（3）燒結碳化矽產品及技術研發專案
碳化矽爐管、水晶舟高純燒結碳化矽零件是立式熱處理裝置的反應室零件，目前國產化率較低。
本專案計畫開發利用碳化矽原料粉末提純技術、超聲波清洗技術、超薄管壁凝膠成型技術和CVD塗層等相關技術，攻克碳化矽爐管等高純燒結碳化矽產品成型工藝的技術難點，並加以開發應用用於立式爐裝置的高強度、高純度、高耐久性燒結碳化矽零件
（4）TAC塗層石墨產品及技術研發專案
在碳化矽襯底製備過程中，碳化矽晶體在高溫單晶爐中的生長條件惡劣，質量和成本受熱場材料的影響很大。 TAC塗層石墨產品作為一種先進的熱場材料，在碳化矽晶體生長過程中具有良好的穩定性，是碳化矽行業高溫裝置必備的熱場材料。
本專案主要以CVD塗層技術路線為基礎，輔以燒結實驗，開發可大規模生產緻密均勻TAC塗層石墨零件的工藝路線，為碳化矽外延裝置或碳化矽單晶爐裝置製備TAC塗層石墨產品，從而提公升公司產品的豐富度和競爭力，進入更多下游領域。
2、專案投資估算
該專案建設的擬議投資為28,7470000000000元，全部用於募集資金進行投資，主要用於上述研發專案的裝置購置安裝費用、人員工資等。
3. 專案時間週期和進度
本專案包括多個研發課題，專案整體實施週期預計在3年內完成，具體專案實施進度以各子專案為主線推進，根據子專案研發需求安排專案研發所需的資金投入。
4. 備案手續的履行、環評審批、土地利用
2022年10月21日，公司獲得廣州開發區行政審批局頒發的《廣東省企業投資專案備案證書》，國家**2210-440112-04-02-704386，並已完成專案固定資產投資備案手續。
2023年3月15日，廣州開發區行政審批局出具《致誠半導體碳化矽材料研發製造總部新研發專案環境影響報告表》（隋凱核文環評第2023號75號），批准了專案環境影響報告書，同意專案建設。
該專案計畫使用公司現有土地實施，不涉及收購新土地。